申请/专利权人：北京大学

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809707A

主分类号：G11C11/406

分类号：G11C11/406;G11C11/4074;G11C11/408;G11C11/4094

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供了一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列及其控制方法。该存储器阵列由存储单元沿横向、纵向重复排列而成，同一行存储单元共用一条写入字线和一条读出字线，同一列存储单元共用一条写入位线和一条读出位线；存储单元包括一个P型隧穿场效应晶体管作为写入管、一个N型隧穿场效应晶体管作为读出管、一个电容作为放大单元，写入管、读出管和电容相互连接共同构成存储节点SN，写入管栅极接写入字线、漏极接写入位线、源极接存储节点，读出管栅极接存储节点、漏极接读出位线、源极接地，电容一端接存储节点、一端接读出字线。本发明能延长动态随机存取存储的保持时间、降低功耗、缓解读串扰问题，增大存储窗口和阵列规模。

主权项：1.一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，由存储单元沿横向、纵向重复排列而成，同一行存储单元共用一条写入字线WWL和一条读出字线RWL，同一列存储单元共用一条写入位线WBL和一条读出位线RBL；所述存储单元包括一个P型隧穿场效应晶体管作为写入管、一个N型隧穿场效应晶体管作为读出管、一个电容作为放大单元，所述写入管、读出管和电容相互连接共同构成存储节点SN，其中，写入管的栅电极连接写入字线WWL，写入管的漏电极连接写入位线WBL，写入管的源电极连接存储节点SN，读出管的栅电极连接存储节点SN，读出管的漏电极连接读出位线RBL，读出管的源电极连接0V，所述作为放大单元的电容器件，一端连接存储节点SN，一端连接读出字线RWL；所述PN型隧穿场效应晶体管，其源端包括源金属层和包裹源金属层的源半导体层，该隧穿场效应晶体管的源端在物理上等效为栅控肖特基结与栅控PN结的串联结构，具有双向导通特性；其漏端距离栅边界有一定的距离，能抑制晶体管的双极电流，降低关态电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种基于隧穿场效应晶体管的动态随机存取存储器阵列及其控制方法

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