申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813932A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;G11C11/16;H10N50/10

优先权：["20210813 US 17/401,394"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种通过形成晶体管阵列而形成的自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器设备，其中，所述阵列的列包括与所述列中的每个晶体管的源极触点接触的源极线，形成接触所述行的所述晶体管的所述漏极触点的自旋轨道扭矩SOT线，并且形成单位单元阵列，每个单位单元包括布置在所述SOT线上方并与所述SOT线电接触的自旋轨道扭矩SOT磁阻随机存取存储器MRAM单元堆叠，其中所述SOT‑MRAM单元堆叠包含自由层、隧道结层和参考层、在所述SOT‑MRAM单元堆叠上方且与所述SOT‑MRAM单元堆叠电接触的二极管结构，设置在所述二极管结构上方并与所述二极管结构电接触的上部电极。

主权项：1.一种磁阻随机存取存储器MRAM结构，包括：自旋轨道扭矩SOTMRAM单元阵列，其中：所述阵列的SOT-MRAM单元包括晶体管、磁性隧道结MTJ以及设置在所述MTJ上方的二极管；所述阵列的列包括接触所述列的每一晶体管的源极触点的源极线，其中所述源极线安置于所述MRAM结构的第一金属层处；以及所述阵列的行包括与所述行的每个晶体管的漏极触点接触的SOT线，其中所述SOT线被设置在所述MRAM结构的第二金属层处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器阵列

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