申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-06-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813690A

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/32;H01L33/58;H01L27/12;H01L33/48;H01L33/50

优先权：["20210611 US 17/345,970"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：描述了高像素密度LED结构的制造方法。方法可包括形成底板基板及LED基板。可将底板基板与LED基板接合在一起，且接合后的基板可包含LED像素阵列。LED像素中的每一者可包括一组隔离的子像素。可在LED像素中的每一者中的隔离子像素中的至少一者上形成量子点层。所述方法可进一步包括通过在有缺陷LED像素中的无量子点层的子像素上形成替换量子点层而修复至少一个有缺陷LED像素。方法还可包括在修复至少一个有缺陷LED像素之后在LED像素阵列上形成UV阻挡层。

主权项：1.一种半导体处理方法，包含以下步骤：形成底板基板及LED基板；将所述底板基板接合至所述LED基板，其中所述接合后的基板包含LED像素阵列，且其中所述LED像素中的每一者包含一组隔离子像素；在所述LED像素中的每一者中的所述隔离子像素中的至少一者上形成量子点层；通过在有缺陷LED像素中的无量子点层的子像素上形成替换量子点层而修复至少一个有缺陷LED像素；和在修复所述至少一个有缺陷LED像素之后在所述LED像素阵列上形成UV阻挡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 高像素密度结构及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD