申请/专利权人：山东省科学院激光研究所

申请日：2024-02-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810810A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：在N‑GaAs衬底生长N‑GaAs缓冲层、N型DBR结构、N‑AlGaAs空间层、周期性GaAsInGaAs多量子阱层、P‑AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；刻蚀孔状结构、腐蚀环形空腔；填充SiO2填料；制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。该制备方法代替了湿法氧化制备电流限制的方法，能够快速、均匀的制备环形限制结构，可以提高生产速率。降低了对严苛工艺参数的依赖和工艺门槛，能够实现大尺寸晶圆结构的流片工艺，有效提高制备效率，降低制备成本。

主权项：1.一种垂直腔表面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供一层N-GaAs衬底；依次在所述N-GaAs衬底上生长N-GaAs缓冲层、N型DBR结构、N-AlGaAs空间层、周期性GaAsInGaAs多量子阱层、P-AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；其中，所述N型DBR结构为N型AlGaAsGaAs的DBR结构，所述P型DBR结构为P型AlGaAsGaAs的DBR结构；依次采用丙酮、酒精和去离子水清洗所述晶圆结构；采用电感耦合等离子体刻蚀技术在所述P型DBR结构内刻蚀多个孔状结构，其中，所述孔状结构的延伸方向与所述P型DBR结构的高度方向相同，所述孔状结构的高度与所述P型DBR结构的高度相同；将刻蚀后的所述晶圆结构浸泡在HF溶液中，使所述HF溶液通过所述孔状结构腐蚀所述P型DBR结构中的AlGaAs，以在每个所述孔状结构的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；采用等离子体增强化学气相沉积技术将SiO2填料填充在所述孔状结构和所述环形空腔内；分别在所述N-GaAs衬底和所述P型DBR结构上制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东省科学院激光研究所 一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法

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