申请/专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810288A

主分类号：H01L31/108

分类号：H01L31/108;H01L31/0336;H01L31/0216;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种短波红外光电探测器及其制备方法，该探测器包括从下向上依次设置的背面电极、基底、势垒修饰层、感光层和正面电极。基底的材料为Si，势垒修饰层材料为Au，感光层的材料为Ni。势垒修饰层Au用于提高Ni与Si之间的肖特基结势垒高度，阻止探测器在暗态下的电子向基底方向扩散，从而降低其暗电流，使器件可以在工作电压为0V时的暗电流密度降低至小于5nAcm2，暗态噪声谱强度小于10‑14AHz12。在波长为1550nm、光强密度为166mWcm2的光照下，该探测器的比探测率可以达到1011Jones以上，响应度大于1mAW，开关时间小于35μs，具有很好的实用价值。探测器为简单叠层结构，工艺简单，与CMOS半导体工艺兼容，对设备要求低，生产成本低，易于推广应用。

主权项：1.一种短波红外光电探测器，其特征在于，包括从下向上依次设置的背面电极、基底、势垒修饰层、感光层和正面电极；所述基底的材料为Si，所述势垒修饰层材料为Au，所述感光层的材料为Ni；所述势垒修饰层用于提高Ni与Si之间的肖特基结势垒高度，阻止探测器在暗态下的电子向所述基底方向扩散，从而降低其暗电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种短波红外光电探测器及其制备方法

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