申请/专利权人：北京科技大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802384A

主分类号：C22C30/00

分类号：C22C30/00;C22C32/00;C22C1/10;F01D5/02;F23R3/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种网状多主元硅化物强化难熔高熵合金、制备方法及应用。具体是通过添加不同含量的Si元素调控NbMoTaW系难熔高熵合金的微观结构，在体心立方结构的难熔高熵合金基体中析出呈网状结构分布的硅化物强化相，该结构能够抑制变形阶段裂纹的扩展，同时具有优异的高温稳定性。并根据成分配比精确称量各元素单质颗粒后，利用非自耗真空电弧炉熔炼所得。本发明所设计难熔高熵合金组织特征可通过改变所加入Si元素含量进行调控，从而达到调控性能和降低材料密度的目的。且难熔高熵合金的室温强度不低于2100MPa，塑性不低于5％，1600℃下的高温强度不低于400MPa。

主权项：1.一种网状多主元硅化物强化难熔高熵合金，其特征在于，所述高熵合金的原子百分比的表达式为NbaMobTacWdMeSifDg，其中M为Ti、Zr、Hf、V、Cr、Fe、Co、Ni、Ir、Ru、Re、Rh、Y、La、Al中的至少一种；D为B、C、O、N中的至少一种，且各成分的原子百分含量为：0＜a≤50at％，0＜b≤50at％，0＜c≤50at％，0＜d≤50at％，0≤e≤35at％，0＜f≤30at％，0≤g≤20at％,且a+b+c+d+e+f+g＝100。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科技大学 网状多主元硅化物强化难熔高熵合金、制备方法及应用

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