申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2018-02-13

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN110520963B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/768;H01L21/306;H01L21/027;H01L21/67

优先权：["20170217 US 62/460,573","20170331 US 62/479,709","20180212 US 15/894,635"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2020.03.13#实质审查的生效;2019.11.29#公开

摘要：在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。

主权项：1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：a提供具有多个突出特征的半导体衬底，所述突出特征具有水平表面和侧壁以及在所述突出特征的所述水平表面和所述侧壁上形成的氧化锡层；b在所述突出特征的所述侧壁处的所述氧化锡层上形成钝化层使得在形成所述钝化层之后，在相邻的突出特征之间的间隙仍未被填充；以及c在形成所述钝化层之后，从所述突出特征的所述水平表面蚀刻并完全去除氧化锡，从而暴露出所述突出特征的材料，而不完全去除驻留在所述突出特征的所述侧壁处的氧化锡。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 半导体器件制造中的氧化锡膜

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