申请/专利权人：泰州中来光电科技有限公司

申请日：2021-04-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN115274879B

主分类号：H01L31/0224

分类号：H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/35

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开

摘要：一种设有铝背电极的TOPCon电池及其制备方法、组件和系统，包括电池基片、设在所述电池基片正面的前表面电极和设在所述电池基片背面的后表面电极；所述电池基片包括N型晶硅基体、所述N型晶硅基体的正面设有p+掺杂区域和钝化减反膜，所述N型晶硅基体的背面设有钝化接触层，所述后表面电极包括沉积在所述钝化接触层底表面的金属铝膜、以及设在所述金属铝膜上的多处焊接金属银。按照发明提供的设有铝背电极的TOPCon电池与现有技术相比具有如下优点：金属铝膜采用PVD方法沉积而成，PVD方法不同于常规丝网印刷，在金属电极制备中是非接触式的，对硅片表面不造成挤压和污染；使得电极沉积更均匀，电极形状更容易控制。

主权项：1.一种设有铝背电极的TOPCon电池，包括电池基片、设在所述电池基片正面的前表面电极和设在所述电池基片背面的后表面电极；所述电池基片包括N型晶硅基体、所述N型晶硅基体的正面从内到外依次设有p+掺杂区域和钝化减反膜，所述N型晶硅基体的背面设有钝化接触层，其特征在于：所述后表面电极包括沉积在所述钝化接触层底表面的金属铝膜、以及设在所述金属铝膜上的多处焊接金属银，多处所述焊接金属银在所述金属铝膜上的覆盖面积之和为所述金属铝膜面积的0.1％～40％；所述后表面电极还包括设在所述金属铝膜与所述焊接金属银之间的金属粘合层；所述前表面电极包括与P+掺杂区域接触的铝栅线，铝栅线包括铝主栅和铝细栅；所述后表面电极还包括沉积在所述钝化接触层底表面的氧化铟锡膜，所述金属铝膜沉积在所述氧化铟锡膜的底表面；所述金属粘合层为叠加在一起的氮化钛层和钒化镍层，氮化钛膜沉积在金属铝膜底表面，且钒化镍膜沉积在氮化钛膜底表面。

全文数据：

权利要求：

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