申请/专利权人：广东省科学院生物与医学工程研究所

申请日：2022-04-19

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114852954B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明申请公开了一种有序单晶硅金字塔微结构的制备方法，所述方法包括：清洗硅片；通过旋涂的方式在硅片的第一面涂上光刻胶，并烘烤硅片；采用导入了圆形阵列图案的无掩膜光刻机对硅片进行曝光；采用显影液对曝光后的硅片进行显影，在硅片的第一面上形成光刻胶掩膜图案；采用缓冲氧化物刻蚀液对显影后的硅片进行100‑480s的刻蚀，并采用丙酮对刻蚀后的硅片进行超声清洗，在硅片的第一面上形成二氧化硅微柱阵列；将硅片放置在碱性刻蚀液中加热刻蚀10‑60min，在单晶硅片上形成金字塔微结构阵列。本发明实施例工艺简单、加工方便，并且无需依赖传统工艺中的大型设备以及昂贵掩膜板和干法刻蚀，大大降低了金字塔微结构的制备成本。

主权项：1.一种有序单晶硅金字塔微结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗硅片，所述硅片包括单晶硅片和制备在所述单晶硅片上的二氧化硅层；通过旋涂的方式在所述硅片的第一面涂上光刻胶，并烘烤所述硅片，所述硅片的第一面为所述硅片上制备所述二氧化硅层的一面；所述通过旋涂的方式在所述硅片的第一面涂上光刻胶，并烘烤所述硅片，包括：将所述硅片放置在旋涂机上，在所述硅片的第一面涂上正胶，或者，在所述硅片的第一面涂上负胶；在加热板上烘烤所述硅片；采用导入了圆形阵列图案的无掩膜光刻机对所述硅片进行曝光；所述圆形阵列图案中单个圆形的直径为5-50微米，周期为10-100微米；所述采用导入了圆形阵列图案的无掩膜光刻机对所述硅片进行曝光，包括：采用导入了圆形阵列图案的无掩膜光刻机对所述硅片进行曝光；采用显影液对曝光后的所述硅片进行显影，在所述硅片的第一面上形成光刻胶掩膜图案；所述采用显影液对曝光后的所述硅片进行显影，在所述硅片的第一面上形成光刻胶掩膜图案，包括：若在所述硅片的第一面涂上正胶，则将曝光后所述硅片浸泡在正胶显影液中显影，若在所述硅片的第一面涂上负胶，则将曝光后所述硅片浸泡在负胶显影液中显影；采用异丙醇对所述硅片进行定影，并通过氮气吹干所述硅片，在所述硅片的第一面上形成所述光刻胶掩膜图案；采用缓冲氧化物刻蚀液对显影后的所述硅片进行100-480s的刻蚀，并采用丙酮对刻蚀后的所述硅片进行超声清洗，在所述硅片的第一面上形成二氧化硅微柱阵列，所述缓冲氧化物刻蚀液中包括浓度为40%的氟化氨溶液和浓度为49%的氢氟酸溶液，所述氟化氨溶液与氢氟酸溶的体积比为6：1；将所述硅片放置在碱性刻蚀液中加热刻蚀10-60min，在所述单晶硅片上形成金字塔微结构阵列；将所述硅片浸泡在浓度为5%的氢氟酸溶液中30-60s；通过氮气吹干所述硅片。

全文数据：

权利要求：

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