申请/专利权人：湖州越球电机有限公司

申请日：2021-07-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113640664B

主分类号：G01R31/34

分类号：G01R31/34;H02H9/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.01.18#实质审查的生效;2021.11.12#公开

摘要：本发明公开了直流电压输入的BLDC电机软启动测试系统，包括逻辑控制电路MCU、VM软启动电路、VM尖峰吸收电路、VCC软启动与尖峰吸收电路、VSP电路和BLDC电机；所述逻辑控制电路MCU分别与VM软启动电路、VCC软启动与尖峰吸收电路和VSP电路相连；所述BLDC电机分别与FG和GND相连。本发明通过设置MCU、VM软启动电路、VM尖峰吸收电路、VCC软启动与尖峰吸收电路和VSP电路分别与BLDC电机相连，VM软启动电路和VCC软启动电路分别实现VM和VCC电压的平滑启闭，避免继电器产生尖峰电压，通过VM尖峰吸收电路能有效抑制母线电容通电产生的浪涌冲突电压的幅值，VCC电压经VCC尖峰吸收电路提供平稳电压。本发明具有不损伤VCC和BLDC电机的特点。

主权项：1.直流电压输入的BLDC电机软启动测试系统，其特征在于：包括逻辑控制电路MCU、VM软启动电路、VM尖峰吸收电路、VCC软启动与尖峰吸收电路、VSP电路和BLDC电机；所述逻辑控制电路MCU分别与VM软启动电路、VCC软启动与尖峰吸收电路和VSP电路相连；所述VM软启动电路通过VM尖峰吸收电路与BLDC电机相连；所述VCC软启动与尖峰吸收电路和VSP电路均与BLDC电机相连；所述BLDC电机分别与FG和GND相连；所述VM软启动电路包括U1固态继电器和Q1三极管；所述U1固态继电器的1号端与VM-OUT端相连、2号端与VM-IN端相连，3号端与10V电压相连，4号端与Q1三极管的C极相连；所述Q1三极管为NPN型三极管，其B极通过R2电阻与SSR端相连，E极与SGND相连；所述VM尖峰吸收电路为由TH1负温度系数热敏电阻、TH2负温度系数热敏电阻、E1电解电容和E2电解电容组成的二级滤波电路；所述VM尖峰吸收电路包括M电机；所述M电机一端依次串联TH2负温度系数热敏电阻和TH1负温度系数热敏电阻并与VM-OUT端相连，M电机另一端与PGND端相连；所述E2电解电容正极设于M电机与TH2负温度系数热敏电阻之间，负极设于M电机与PGND端之间；所述E1电解电容正极设于TH1负温度系数热敏电阻与TH2负温度系数热敏电阻之间，负极设于M电机与PGND端之间；所述M电机为BLDC电机；所述VCC软启动与尖峰吸收电路包括相互连接的VCC软启动电路和VCC尖峰吸收电路；所述VCC软启动电路包括Q2三极管、Q3三极管和U2光耦；所述U2光耦的1号端通过R5电阻与3.3V电压相连，2号端通过Q3三极管与SGND相连，3号端连接PGND端，4号端通过R7电阻与Q2三极管相连；所述Q2三极管B端与R7电阻相连、E端与VDD端相连、C极与VCC尖峰吸收电路相连；所述Q2三极管E极与B极并联有R6电阻；所述Q3三极管的B极通过R8电阻与VC端相连，其E极与SGND之间并联有R9电阻，其C极与U2光耦的2号端相连；所述VSP电路包括U3光耦、Q4三极管和Q5三极管；所述U3光耦的1号端与3.3V电压相连，其2号端依次串联R17电阻和Q5三极管并与SGND相连，其3号端与PGND端相连，其4号端依次串联R12电阻和R10电阻并与VDD端相连；所述Q4三极管的C极依次串联R11电阻、R13电阻、R14电阻、R15电阻并与PGND端相连；所述Q4三极管的E极与VDD端相连，其B极连接于R10电阻与R12电阻之间；所述R15电阻并联有C5电容、C4电容和R16电阻，所述C5电容两端分别设于R15两端，所述C4电容两端分别设于R14电阻与R13电阻之间和C5电容与PGND端之间，所述R16电阻两端分别位于R11电阻与R13电阻之间和C4电容与PGND端之间；所述Q5三极管的B极通过R18电阻与PWM端相连，其C极与R17电阻相连，其E极与SGND相连；所述Q5三极管的B极与R18电阻之间串联有与SGND相连的R19电阻。

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