申请/专利权人：深圳市思坦科技有限公司

申请日：2021-12-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114300602B

主分类号：H01L33/58

分类号：H01L33/58;H01L27/15;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.04.26#实质审查的生效;2022.04.08#公开

摘要：本申请提供一种全彩Micro‑LED及其制备方法和显示装置，涉及显示技术领域，该全彩Micro‑LED包括单色Micro‑LED阵列和倒置在单色Micro‑LED阵列上的量子点色转换层，红色量子点对应位置处的Micro‑LED芯片、绿色量子点对应位置处的Micro‑LED芯片和空白点对应位置处的Micro‑LED芯片构成发光像素单元。通过将Micro‑LED芯片的出光口面积设置为小于Micro‑LED芯片的横截面积，从而缩小Micro‑LED芯片的出光面积，缩小出光面积能够抑制蓝光散射，同时能够避免激发量子点的蓝光过剩，提高量子点的色转换纯度。

主权项：1.一种全彩Micro-LED，其特征在于，包括：单色Micro-LED阵列，所述单色Micro-LED阵列包括多个Micro-LED芯片，所述单色Micro-LED阵列还包括：挡光墙，设置在所述多个Micro-LED芯片之间间隙；遮光部，对应所述挡光墙设置在所述单色Micro-LED阵列的出光面，所述遮光部之间形成所述Micro-LED芯片的出光口，所述出光口的面积小于所述Micro-LED芯片的横截面积；量子点色转换层，所述量子点色转换层包括规则排布的红色量子点、绿色量子点和空白点，所述量子点色转换层倒置在所述单色Micro-LED阵列上，以使所述红色量子点、所述绿色量子点和所述空白点分别对应朝向所述Micro-LED芯片设置；所述红色量子点对应位置处的Micro-LED芯片、所述绿色量子点对应位置处的Micro-LED芯片和所述空白点对应位置处的Micro-LED芯片构成发光像素单元；所述遮光部在所述Micro-LED芯片的厚度方向的投影覆盖且大于所述挡光墙的投影。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市思坦科技有限公司 一种全彩Micro-LED及其制备方法和显示装置

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