申请/专利权人：成都信息工程大学

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117322894B

主分类号：A61B5/369

分类号：A61B5/369;H03F1/32;H03F1/02;H03G3/30;H03H11/04;A61B5/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明公开了一种采用双通道复用技术的脑电采集模拟前端电路，涉及逻辑电路技术，包括依次连接的缓冲器、通道复用电路、跨导放大器电路、跨阻放大器电路、复用解调电路、程控增益放大器以及有源低通滤波器。本发明可以抑制电极组织阻抗产生的运动伪影和噪声，同时能够进行程控增益调节，避免输入信号放大后失真或衰减；并且在不减少前端通道数量的前提下有效降低电极芯片的功耗。

主权项：1.一种采用双通道复用技术的脑电采集模拟前端电路，其特征在于，包括依次连接的：缓冲器：用于增强脑电信号的强度和保持信号的完整性；通道复用电路：实现两个通道的复用，使得两个通道共同使用后续的跨导放大器和跨阻放大器，减少前端的功耗和版图面积；跨导放大器电路：用于减少噪声并提高输入信号的抗干扰能力，将电压信号转换为更加稳定的电流信号；跨阻放大器电路：用于将电流信号转换为电压信号，同时保持电路的带宽性能，去除运动伪影；复用解调电路：实现输入信号的解调，将复用信号还原回通道一的输入信号和通道二的输入信号；程控增益放大器：用于实现可控增益调节；有源低通滤波器：用于滤除信号中的高阶谐波与噪声，得到完整且清晰的生物电信号；所述通道复用电路包括通道一和通道二，每个通道包括两条差分输入电路，每条差分输入电路均由两个开关并联组成，所述开关为CMOS管互补开关，由PMOS管与NOMS管的漏极和源极连接组成；所述跨导放大器电路包括RC低通滤波器、两个NMOS管、八个PMOS管和两个电容，所述RC低通滤波器与PMOS管P1、PMOS管P2的栅极连接，NMOS管N1和NMOS管N2的源极接地，NMOS管N1的漏极与PMOS管P1的漏极以及PMOS管P7的栅极连接，NMOS管N2的漏极与PMOS管P2的漏极以及PMOS管P8的栅极连接，PMOS管P1的源极与PMOS管P3、PMOS管P5、PMOS管P7依次连接，PMOS管P2的源极与PMOS管P4、PMOS管P6、PMOS管P8依次连接，PMOS管P3、PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6的源极相连，PMOS管P3的栅极连接在PMOS管P5的漏极与PMOS管P7的源极之间，PMOS管P4的栅极连接在PMOS管P6的漏极与PMOS管P8的源极之间，PMOS管P7和PMOS管P8的漏极接地，电容C1一端与NMOS管N1的漏极和PMOS管P7的栅极连接，电容C2一端与NMOS管N2的漏极和PMOS管P8的栅极连接，电容C1和电容C2的另一端接地；所述跨阻放大器电路包括两个放大器、四个NMOS管和四个PMOS管，两个放大器的差分输入端一端与PMOS管P11、PMOS管P12的源极以及PMOS管P9、PMOS管P10的漏极连接，另一端连接基准电压，两个放大器的输出端分别与PMOS管P11、PMOS管P12的栅极连接，PMOS管P9和PMOS管P10的源极相连，所述NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5和NMOS管N6组成两支路的共源共栅结构，NMOS管N3、NMOS管N4的源极接地，NMOS管N5的漏极与PMOS管P11的漏极连接，NMOS管N6的漏极与PMOS管P12的漏极连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都信息工程大学 一种采用双通道复用技术的脑电采集模拟前端电路

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