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【发明授权】一种含异硫氰基的液晶单体化合物及其制备方法_中节能万润股份有限公司_202311812684.0 

申请/专利权人:中节能万润股份有限公司

申请日:2023-12-27

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117466849B

主分类号:C07D307/79

分类号:C07D307/79;C07D333/54;C09K19/34;C09K19/44;G02F1/1333

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要:本发明属于液晶显示材料技术领域,本发明公开了一种含异硫氰基的液晶单体化合物及其制备方法。将5‑溴‑2‑碘苯酚和三乙胺加入催化剂及碘化亚铜,滴加1‑戊炔与THF的混合液。酸化,萃取,重结晶,得到中间体m1;m1、双联硼酸频那醇酯、醋酸钾及甲苯,氮气置换,稀盐酸淬灭,减压脱干溶剂,得中间体m2粗品;中间体m2与4‑4‑溴苯基乙炔基‑2,6‑二氟苯胺、碳酸钾、水和甲苯反应制备得到目标化合物m3。m3、硫羰基二咪唑反应得目标化合物。本发明中所制备的化合物与其他液晶具有较好的混溶性、较高的清亮点和双折射率,不仅可应用于液晶显示领域,也可应用于微波器件领域中。

主权项:1.一种含异硫氰基的液晶单体化合物的制备方法,其特征在于,化合物结构通式如下: 其中,R为CaH2a+1,a的值为3或5;X为O或S;所述液晶单体化合物制备步骤如下:1中间体m1的制备将5-溴-2-碘苯酚或5-溴-2-碘苯硫醇溶于三乙胺中,惰性气体保护下,加入二三苯基膦二氯化钯以及碘化亚铜,混合均匀后,缓慢加入烷基端炔化合物,保温反应;反应结束后滴加稀盐酸水溶液酸化,并用正己烷萃取,取上层有机相,水洗至中性,过柱,过柱液脱干溶剂,采用溶剂重结晶,过滤得棕色中间体m1,m1结构式如下, 2中间体m2的制备将中间体m1与双联硼酸频那醇酯、醋酸钾和甲苯混合,惰性气体保护下,加入四三苯基膦化钯,回流反应,反应结束后降温,加入稀盐酸淬灭,分出上层有机相,水洗至中性,得到中间体m2的甲苯溶液,m2结构式如下, 3中间体m3的制备将中间体m2的甲苯溶液与4-4-溴苯基乙炔基-2,6-二氟苯胺、碳酸钾、水和甲苯混合,惰性气体保护下,加入四三苯基膦化钯,加热并保温进行反应;反应结束后降温,加入稀盐酸淬灭,分出上层有机相,水洗至中性,过柱,过柱液脱干溶剂,采用溶剂重结晶,过滤得淡黄色中间体m3,m3结构式如下, 4含异硫氰基的液晶单体化合物的合成将中间体m3与硫羰基二咪唑溶解于二氯甲烷中进行反应;反应结束后,脱干溶剂,加入正庚烷溶解并通过柱层析,得目标化合物。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中节能万润股份有限公司 一种含异硫氰基的液晶单体化合物及其制备方法

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