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【发明授权】基于局部电场来调整图案化过程的模型中的目标特征的方法_ASML荷兰有限公司_201980081031.5 

申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

申请日:2019-11-12

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN113168121B

主分类号:G03F7/20

分类号:G03F7/20;G03F1/70

优先权:["20181207 EP 18211056.9"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要:描述了基于针对所述图案化过程而估计的局部电场来调整所述图案化过程的模型中的目标特征的方法。所述方法包括获得所关注的掩模叠层区域。所述掩模叠层区域具有与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性。所关注的掩模叠层区域包括所述目标特征。所述方法包括基于与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性来估计局部电场。所述局部电场是针对所关注的掩模叠层区域的邻近于所述目标特征的一部分而估计的。所述方法包括基于所述估计的局部电场来调整所述目标特征。

主权项:1.一种用于确定目标特征设计的方法,所述方法包括:获得所关注的掩模叠层区域,所关注的掩模叠层区域具有与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性,所关注的掩模叠层区域包括目标特征;利用硬件计算机系统基于与电磁波通过在量测测量期间所关注的掩模叠层区域的传播相关联的所述一个或更多个特性来估计局部电场,所述局部电场是针对所关注的掩模叠层区域的邻近于所述目标特征的一部分而估计的;和由所述硬件计算机系统基于估计的局部电场来确定所述目标特征的特性。

全文数据:

权利要求:

百度查询: ASML荷兰有限公司 基于局部电场来调整图案化过程的模型中的目标特征的方法

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