申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-08-13

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111584476B

主分类号：H01L25/18

分类号：H01L25/18;H01L25/16;H10B80/00;H01L23/488

优先权：["20190215 KR 10-2019-0017872"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2020.08.25#公开

摘要：本公开涉及一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，具有设置有第一连接焊盘的第一表面和设置有第二连接焊盘的第二表面，并且包括连接到所述第二连接焊盘的导通孔；连接结构，设置在所述第一表面上，并且包括第一重新分布层；第二重新分布层，设置在所述第二表面上；以及第二半导体芯片，设置在所述连接结构上。所述第一连接焊盘连接到所述第一重新分布层的信号图案，并且所述第二连接焊盘连接到所述第二重新分布层的电力图案和接地图案中的至少一者。

主权项：1.一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面，并且包括设置在所述第一表面上的第一连接焊盘、设置在所述第二表面上的第二连接焊盘以及连接到所述第二连接焊盘的导通孔；连接结构，设置在所述第一半导体芯片的所述第一表面上，并且包括电连接到所述第一半导体芯片的所述第一连接焊盘的第一重新分布层；第二重新分布层，设置在所述第一半导体芯片的所述第二表面上，并且电连接到所述第一半导体芯片的所述第二连接焊盘；以及第二半导体芯片，设置在所述连接结构的与所述连接结构的设置有所述第一半导体芯片的第四表面背对的第三表面上，其中，所述第二半导体芯片的设置有所述第二半导体芯片的第三连接焊盘的表面面对所述连接结构的所述第三表面，其中，所述第一半导体芯片的所述第一连接焊盘连接到所述第一重新分布层的信号图案，并且所述第一半导体芯片的所述第二连接焊盘连接到所述第二重新分布层的电力图案和接地图案中的至少一者，其中，所述导通孔和所述第二连接焊盘设置在所述第一半导体芯片的中央区域中，所述第一连接焊盘设置在所述第一半导体芯片的外周区域中，并且其中，所述第一半导体芯片的所述中央区域与所述第二半导体芯片不竖直叠置，所述第一半导体芯片的所述外周区域包括与所述第二半导体芯片竖直叠置的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体封装件

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