申请/专利权人：乐鑫信息科技(上海)股份有限公司

申请日：2020-12-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112798919B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.06.01#实质审查的生效;2021.05.14#公开

摘要：本发明提供了一种基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路，用于监测系统的电源电压VDD是否低于电源电压阈值，其特征在于，包括第一电容器、第二电容器、反相器、第一PMOS管和第一NOMS管；还包括第一电流镜、第二NMOS管、栅极反掺杂NMOS管和第三NMOS管，其中第二NMOS管的栅极用于接收参考电压；第二NMOS管和栅极反掺杂NMOS管的电流密度被调整成使得产生带隙基准电压，从而电源电压阈值为参考电压Vref与带隙基准电压之和，当电源电压低于电源电压阈值时，反相器输出指示信号为低电平。本发明的基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路具有低功耗、对电源电压下降的响应低延迟而对电源电压上升的响应高延迟的特性，能够方便可靠的方式保证系统中电子器件的稳定工作。

主权项：1.一种基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路，用于监测系统的电源电压是否低于电源电压阈值，其特征在于，包括第一电容器、第二电容器、反相器、第一PMOS管和第一NMOS管；所述基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路还包括第一电流镜、第二NMOS管、栅极反掺杂NMOS管和第三NMOS管，所述第二NMOS管和所述栅极反掺杂NMOS管的漏极分别通过所述第一电流镜的两个支路连接所述电源电压，所述第二NMOS管和所述栅极反掺杂NMOS管的源极皆通过所述第三NMOS管接地；所述第二NMOS管的栅极用于接收参考电压，所述栅极反掺杂NMOS管的栅极连接到所述电源电压；其中，所述第一电容器连接在所述电源电压和所述栅极反掺杂NMOS管的源极之间；所述第二电容器连接在所述电源电压和所述第二NMOS管的漏极之间；所述第一PMOS管连接在所述电源电压和所述反相器的输入端之间，且其栅极与所述第二NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管连接在所述反相器的输入端与地之间，且与所述第三NMOS管形成第二电流镜；其中，所述第二NMOS管和所述栅极反掺杂NMOS管的电流密度被调整成使得产生带隙基准电压Vbg＝ΔVth+ΔVdsat，其中阈值电压差ΔVth是所述第二NMOS管和所述栅极反掺杂NMOS管的阈值电压之差，饱和电压差ΔVdsat是所述第二NMOS管和所述栅极反掺杂NMOS管的饱和电压之差；其中，所述电源电压阈值为所述参考电压Vref与带隙基准电压之和Vref+Vbg；当所述电源电压低于所述电源电压阈值时，所述反相器的输出端输出指示信号为低电平。

全文数据：

权利要求：

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