申请/专利权人:泰州中来光电科技有限公司
申请日:2020-04-24
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN111510068B
主分类号:H02S50/10
分类号:H02S50/10;G01R27/08;G01R31/389
优先权:["20200416 CN 2020103010570"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.02#授权;2020.09.01#实质审查的生效;2020.08.07#公开
摘要:本发明涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法,包括:1、在电池片上直径不同的圆形点状电极周围进行开槽处理,形成内径不同的圆形凹槽结构;2、测试内径不同的圆形凹槽结构对应的内径;3、测试直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值;4、采集不同的圆形凹槽结构对应的内径数据、以及直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值数据,绘制散点图,并运用两端接触的电流传输模型对散点进行拟合,计算接触电阻率。本发明的圆形凹槽结构能够阻断电流在钝化接触结构中的横向传输,使电流的实际传输路径与理论路径更加吻合,可以显著提高拟合决定系数和测试的精确性。
主权项:1.一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法,其特征在于:包括以下步骤:1、在电池片上直径不同的圆形点状电极周围进行开槽处理,形成内径不同的圆形凹槽结构;其中,所述圆形凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部;2、测试所述内径不同的圆形凹槽结构对应的内径;3、测试直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值;4、采集不同的圆形凹槽结构对应的内径数据、以及直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值数据,绘制散点图,并运用两端接触的电流传输模型对散点进行拟合,计算接触电阻率;在步骤1之前,所述方法还包括:1’、先在单晶硅衬底的前表面制备钝化接触结构,接着在硅衬底的背表面制备第一重掺杂层,然后在所述钝化接触结构上沉积覆盖层;最后在所述覆盖层上印刷直径不同的圆形点状电极,在所述第一重掺杂层上整面印刷金属电极。
全文数据:
权利要求:
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