申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-08-20

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113675106B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本申请涉及晶圆表面电荷量的检测方法和检测装置。该方法包括：对晶圆的形成有第一介质层的一侧进行离子注入；在晶圆的该一侧上沉积第二介质层，并测量沉积速率；以及基于沉积速率检测晶圆的该一侧表面的电荷量。该方法可以原位地监测晶圆表面的电荷量，无需待器件形成后再通过晶圆可接受性测试来反映由于离子注入而导致的累积电荷，时效性强。

主权项：1.一种晶圆表面电荷量的检测方法，包括：对晶圆的形成有第一介质层的一侧进行离子注入；在所述晶圆的所述一侧上沉积第二介质层，并测量沉积速率；以及基于所述沉积速率检测所述晶圆的所述一侧表面的电荷量包括：基于所述电荷中和装置正常工作时的电荷中和率、与所述正常工作时的电荷中和率对应的目标沉积速率以及所述沉积速率来检测所述晶圆的所述一侧表面的电荷量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 晶圆表面电荷量的检测方法和检测装置

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