申请/专利权人：西实显示高新材料(沈阳)有限公司

申请日：2021-09-16

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114262160B

主分类号：C03C15/00

分类号：C03C15/00;B08B11/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.04.19#实质审查的生效;2022.04.01#公开

摘要：本发明涉及防眩光玻璃及其制备方法，制备防眩光玻璃时，先以不含氟的气体作为清洗气体对玻璃基板进行等离子清洗，通过物理溅射的方式去除玻璃基板表面的薄层材料，既实现了清洗目的，又进行了初步蚀刻，在此基础上，进一步以惰性气体和含氟气体为蚀刻气体对玻璃基板进行等离子蚀刻，通过物理溅射叠加化学反应蚀刻的方式对玻璃基板的表层材料进行去除，由此，在玻璃基板上形成防眩光绒面，得到AG玻璃。相比于传统的湿法刻蚀等工艺，本发明的工艺流程简单，无需制作掩膜，无有害污染物残留，并且，蚀刻效果可控性高，可以制备更为细腻的绒面，使得AG玻璃的粗糙度可以满足不同的需求，光学性能更好。

主权项：1.一种防眩光玻璃制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S100，利用第一清洗液对玻璃基板表面进行预清洗以清洗表面污染物；S200，将预清洗后的所述玻璃基板置于真空腔内，开启等离子产生装置，并向等离子产生装置通入不含氟的气体作为清洗气体，对所述玻璃基板表面进行物理溅射方式的等离子清洗，去除玻璃基板表面的薄层材料获得光滑表面，其中，等离子清洗的工艺参数包括：本底真空度：小于或者等于8×10-4Pa；工作气压：1.0*10-1~3Pa；等离子产生装置的电源功率及频率：1.5~5kW，13.56MHz；S300，将等离子清洗后的玻璃基板置于真空腔内，开启等离子产生装置，并开启与所述玻璃基板相连的偏压电源，向所述等离子产生装置通入包含惰性气体和含氟气体的蚀刻气体，对所述玻璃基板表面进行物理溅射叠加化学反应蚀刻方式的等离子蚀刻，在所述玻璃基板上形成防眩光绒面，其中，等离子刻蚀的工艺参数包括：本底真空度：小于或者等于8×10-4Pa；工作气压：1~60Pa；等离子产生装置的电源功率及频率：1.5~5kW，13.56MHz；偏压：400~1800V；偏压电源功率以及频率：1.5~4.5kW，13.56MHz；S400，利用第二清洗液对形成防眩光绒面的所述玻璃基板进行清洗，去除蚀刻残留物；其中，所述等离子产生装置为感应耦合等离子体，其工作面位于真空腔内；步骤S200中，所述清洗气体为Ar2和O2的混合气体，二者的配比为10：1~0.75：1；其中，Ar2流量为150~500sccm，O2流量为50~200sccm；所述步骤S300中，所述蚀刻气体中，所述惰性气体为Ar2，所述含氟气体为CF4，二者的配比为2.5:1~9:1；其中，Ar2流量为90~900sccm，CF4流量为50~300sccm；步骤S300中，所述蚀刻气体还包括O2，O2流量为0~200sccm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 防眩光玻璃及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD