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【发明授权】一种可相变的纳米片状VO2薄膜的制备方法_安徽建筑大学_202210821195.0 

申请/专利权人:安徽建筑大学

申请日:2022-07-12

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN115323361B

主分类号:C23C18/12

分类号:C23C18/12;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G31/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要:本发明公开了一种可相变的纳米片状VO2薄膜的制备方法,采用低温液相沉积法合并氮气气氛热处理制备纳米片状VO2薄膜,其技术特征如下:以一定的摩尔比配制硫酸氧钒和乳酸的混合溶液,于室温下搅拌使其充分络合,使用氨水调节络合溶液的pH值在3.2~4.4范围,之后放入表面洁净的玻璃等基板,沉积反应温度控制在60℃~90℃范围,沉积反应一定时间后即获得的纳米片状前驱体薄膜;所得前驱体薄膜在一定氮气流速下,于一定温度下退火后即得纳米片状VO2薄膜。本发明提供了一种反应温度低、基底要求低、能耗低、可大面积成膜的纳米片状VO2薄膜制备方法。

主权项:1.一种可相变的纳米片状VO2薄膜的制备方法,其特征在于:采用低温液相沉积法合并氮气气氛热处理制备纳米片状VO2薄膜,具体步骤如下:1配制一定摩尔浓度比的硫酸氧钒和乳酸的混合溶液,搅拌使其络合均匀;2在混合溶液中加入氨水调节混合溶液的pH值至特定范围;3将清洗干燥后的基板放入调pH值后的混合溶液中,恒温沉积反应一段时间后,取出基板,再冲洗干燥,得到纳米级NH48V19O41OH9H2O11前驱体薄膜;所述基板的清洗干燥步骤如下:使用表面活性剂超声清洗5分钟,再用去离子水冲洗5分钟,最后重复用去离子水超声5分钟清洗3~5次,在80℃真空干燥2小时,待用;4将前驱体薄膜放入管式炉中,在一定流速的氮气气氛保护下,于一定温度下恒温退火处理后,再冷却至室温,得到微观纳米片状VO2薄膜,密封保存;步骤3的恒温沉积的温度为60℃~90℃,时间72小时~240小时。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽建筑大学 一种可相变的纳米片状VO2薄膜的制备方法

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