申请/专利权人：芯晟捷创光电科技(常州)有限公司

申请日：2023-09-06

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220710333U

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L25/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型公开了一种兼顾可见光及红外波段检测的光电探测器模组，包括管座，所述管座的一侧设置有双叠探测器模组；所述双叠探测器模组包括硅光电二极管A和硅光电二极管B，所述硅光电二极管B安装在管座的表面，所述硅光电二极管A安装在硅光电二极管B的上侧；所述双叠探测器模组包括硅光电二极管C和InGaAs光电二极管；通过将两只硅光电二极管或者一只硅光电二极管和一只InGaAs光电二极管形成双层堆叠，可见光波段和红外波段、除可见光波段及近红外波段以外，对2000nm或者更长波段有检测需求中两只硅光电二极管或一只硅光电二极管和一只InGaAs光电二极管实现了相比单只硅光电二极管，双层堆叠的硅光电探测器模组在红外波段的响应提升了近一倍的作用。

主权项：1.一种兼顾可见光及红外波段检测的光电探测器模组，包括管座（1），其特征在于：所述管座（1）的一侧设置有双叠探测器模组（2）；所述双叠探测器模组（2）包括硅光电二极管A（3）和硅光电二极管B（4），所述硅光电二极管B（4）安装在管座（1）的表面，所述硅光电二极管A（3）安装在硅光电二极管B（4）的上侧；所述双叠探测器模组（2）包括硅光电二极管C（5）和InGaAs光电二极管（6），所述InGaAs光电二极管（6）安装在管座（1）的表面，所述硅光电二极管C（5）安装在InGaAs光电二极管（6）的表面。

全文数据：

权利要求：

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