申请/专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司

申请日：2023-08-15

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220710327U

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0312;H01L31/0288;H01L31/06;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型公开了一种隧穿钝化接触电池结构，该电池结构包括硅基体，硅基体的正面由内向外依次为正面隧穿氧化硅层、硼磷掺杂碳化硅层和正面减反层，硅基体的正面还设有正面电极，正面电极与硼磷掺杂碳化硅层之间还设有正面硼磷掺杂多晶硅层，正面电极穿过正面减反层后与正面硼磷掺杂多晶硅层和硼磷掺杂碳化硅层形成欧姆接触。本实用新型中，通过在硅基体正面构建由正面隧穿氧化硅层、硼磷掺杂碳化硅层和正面硼磷掺杂多晶硅层复合而成的隧穿接触结构，不仅可以提升正面钝化结构的钝化效果，而且能够显著提升电池的转化效率，其中转换效率高达26.33％，是一种用于构建电性能优异太阳能电池的新型结构。

主权项：1.一种隧穿钝化接触电池结构，其特征在于，包括硅基体，所述硅基体的正面由内向外依次为正面隧穿氧化硅层、硼掺杂碳化硅层和正面减反层；所述硅基体的正面还设有正面电极，所述正面电极与所述硼掺杂碳化硅层之间还设有正面硼掺杂多晶硅层；所述正面电极穿过所述正面减反层后与所述正面硼掺杂多晶硅层和所述硼掺杂碳化硅层形成欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南红太阳光电科技有限公司 一种隧穿钝化接触电池结构

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