申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117848195A

主分类号：G01B7/00

分类号：G01B7/00;G01R33/09

优先权：["20221007 US 17/938,873"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本公开涉及包括集成的反向偏置磁体的线性隧道磁阻传感器。一种传感器模块可以包括在第一方向上具有磁化的反向偏置磁体。传感器模块可以包括传感器芯片，该传感器芯片包括第一组隧道磁阻TMR感测元件。传感器芯片可以被配置为使用第一组TMR感测元件来确定第一磁场分量的特性，并且至少部分基于第一磁场分量的特性来生成传感器信号。传感器信号的值可以对应于铁磁性物体的线性位置。

主权项：1.一种传感器模块，包括：反向偏置磁体，在第一方向上具有磁化；传感器芯片，包括第一组隧道磁阻TMR感测元件，其中所述传感器芯片被配置为：使用所述第一组TMR感测元件来确定第一磁场分量的特性；以及至少部分基于所述第一磁场分量的特性来生成传感器信号，其中所述传感器信号的值对应于铁磁性物体的线性位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括集成的反向偏置磁体的线性隧道磁阻传感器

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