申请/专利权人：深圳市镭煜科技有限公司

申请日：2024-02-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845178A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种磁控溅射平面靶绝缘结构，包括磁场模组、固定底板以及设于所述磁场模组和所述固定底板之间的绝缘板，所述磁场模组靠近所述绝缘板的一端内凹形成台阶，以减少所述绝缘板上金属原子的沉积，增加所述磁场模组与所述固定底板之间的导通长度。本发明通过在磁场模组外圈设有台阶，台阶对绝缘板起到遮蔽作用，台阶正下方的绝缘板的直角边不易粘上金属原子，可以减少绝缘板上的金属原子的沉积，台阶的设置也可以增加磁场模组与固定底板的导通长度，绝缘板直角边不易粘上金属原子，从而减小爬电机率，进一步增强绝缘作用。

主权项：1.一种磁控溅射平面靶绝缘结构，其特征在于，包括磁场模组、固定底板以及设于所述磁场模组和所述固定底板之间的绝缘板，所述磁场模组靠近所述绝缘板的一端内凹形成台阶，以减少所述绝缘板上金属原子的沉积，增加所述磁场模组与所述固定底板之间的导通长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市镭煜科技有限公司 一种磁控溅射平面靶绝缘结构

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