申请/专利权人：上海理工大学

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117854940A

主分类号：H01G11/26

分类号：H01G11/26;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/24;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提出一种富含缺陷的层状金属氢氧化物复合电极材料及其制备方法，其中，所述复合电极材料包含石墨烯泡沫和原位生长在石墨烯上的层状金属氢氧化物纳米片，所述层状金属氢氧化物为Mg掺杂的层状氢氧化物超薄纳米片，本发明通过简单高效的工艺，实现三元层状金属氢氧化物与石墨烯泡沫的复合，并借助Ar等离子体处理引入更多的氧空位缺陷从而提高电极材料的比电容及循环稳定性，本发明制得的富含缺陷的层状金属氢氧化物复合电极材料可直接作为无粘结剂的电极使用，不仅避免了电极制备过程中粘结剂和涂覆工艺的使用，而且可有效提高活性材料的利用率，有利于获得高性能的超级电容器复合电极。

主权项：1.一种富含缺陷的层状金属氢氧化物复合电极材料，其特征在于，所述复合电极材料包含石墨烯泡沫和原位生长在石墨烯上的层状金属氢氧化物纳米片，所述层状金属氢氧化物为Mg掺杂的层状氢氧化物超薄纳米片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海理工大学 一种富含缺陷的层状金属氢氧化物复合电极材料及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD