申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849065A

主分类号：G01N21/95

分类号：G01N21/95;G01N21/88

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了针对外延硅片近表面缺陷的无损定性检测装置及方法，涉及硅片检测技术领域，包括检测台架、光致发光PL缺陷检测仪、光子通量控制器、中性密度过滤器、带通滤光器和近红外相机，本发明通过使用光致发光成像光谱仪，利用PL强度与缺陷率成正比，对外延硅片进行缺陷密度测试，得到缺陷分布图像；通过分析缺陷深度分布图像，确认缺陷距离硅片表面的位置；可自动从KLASPx机台导入KLARF缺陷坐标精确测量并进行适当的定量分析；在测量过程中，无需破坏试样，可以保存试样进行重复测量，且测量方法简便精准，本发明通过光致发光PL效应拍摄外延硅片样品光致发光的亮度图片来检测硅片样品中的缺陷，具有非接触、无破坏性、高空间分辨率的优点。

主权项：1.针对外延硅片近表面缺陷的无损定性检测装置，其特征在于，包括：检测台架1，用于承载待检测的材料，为检测提供支撑平台；光致发光PL缺陷检测仪3，用于检测材料表面或内部缺陷，利用光致发光原理，通过激发材料内部的缺陷或杂质，使其发射出特定的光信号，确定材料中存在的缺陷类型和位置；光子通量控制器4，用于控制光子通量和光束聚焦；中性密度过滤器5，用于将激发光束聚焦在检测材料表面；带通滤光器6，用于传输并进行选择将带与带和缺陷带分开；近红外相机7，用于拍摄滤波后的PL谱带，形成PL谱带图。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 针对外延硅片近表面缺陷的无损定性检测装置及方法

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