申请/专利权人：贺州学院

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845198A

主分类号：C23C18/12

分类号：C23C18/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种具有低损耗介电可调薄膜材料及其制备方法，属于介电可调薄膜领域。制备方法是将前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在200‑400℃下蒸干2‑9min，然后在400‑600℃下热处理2‑9min，最后在600‑800℃下退火处理2‑9min，得到一层薄膜；重复以上步骤多次，即获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、损耗低、介电可调率高器件稳定性好等优点的薄膜。本发明制备方法与制备过程简单、可控性强、制备周期短、成本低廉,在介电可调器件以及集成电路领域有广泛的应用。

主权项：1.一种具有低损耗介电可调薄膜材料及其制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤：1将PZT-BFO前驱体溶液旋涂于衬底上制得PZT-BFO湿膜；2将步骤1所得凝胶干燥、热解、退火制得单层PZT-BFO薄膜；3重复步骤1和步骤2，制得多层PZT-BFO薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 贺州学院 一种具有低损耗介电可调薄膜材料及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD