申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855356A

主分类号：H01L33/20

分类号：H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种氮化物LED及其制备方法。所述氮化物LED包括第一氮化物材料层、氮化物发光层以及第二氮化物材料层；第一氮化物材料层包括种子层、第一形核层、第二形核层以及图形结构层，还包括镶嵌的第一间隔结构和第二间隔结构，两者相互交错分布；第一图形结构以第一间隔结构之间的第二形核层为模板生长形成，第二图形结构以第二间隔结构之间的第二形核层为模板生长形成；氮化物发光层以图形结构层作为生长模板外延生长形成。本发明利用第一和第二图形结构的尺寸差异以及弯曲的表面，进一步提高发光层的侧向外延程度，使得外延中的位错充分转向而发生位错湮灭，从而极大地减少了非辐射复合，提高了氮化物LED的发光性能。

主权项：1.一种氮化物LED，其特征在于，包括沿指定方向层叠设置的第一氮化物材料层、氮化物发光层以及第二氮化物材料层，所述第一氮化物材料层与第二氮化物材料层的导电特性相反；其中所述第一氮化物材料层包括沿所述指定方向依次层叠的种子层、第一形核层、第二形核层以及图形结构层，还包括设置于所述第二形核层上的第一间隔结构和第二间隔结构，所述第一间隔结构和第二间隔结构相互交错分布；所述图形结构层包括第一图形结构和第二图形结构，所述第一图形结构至少覆盖所述第一间隔结构之间的第二形核层，所述第二图形结构至少覆盖所述第二间隔结构之间的第二形核层；所述氮化物发光层以所述图形结构层作为生长模板外延生长形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 氮化物LED及其制备方法

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