申请/专利权人：大连理工大学

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117840629A

主分类号：B23K35/26

分类号：B23K35/26;B23K1/00;C22C1/02;B23K101/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种低熔点In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料及其制备方法、应用，In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料包括以下质量百分比的组分：15％～25％的Sn、10％～30％的In、1％～12％的Ag和40％～60％的Bi；In和Ag的原子百分比之和与Bi和Sn的原子百分比为35.7：39.3：25。基于“团簇连接原子”理论模型，并结合相图、混合焓及强交互作用原则，在Sn‑Bi基础上联合Ag元素和In元素的复合添加，并严格控制各合金元素成分配比，具有低熔点、Cu和Ni基板润湿性良好、焊接强度高、成本适中、无铅更加环保等优点，尤其适用于柔性基板互连，也可应用于3DIC多层封装。

主权项：1.一种低熔点In-Bi-Sn-Ag合金钎料，其特征在于，所述In-Bi-Sn-Ag合金钎料包括以下质量百分比的组分：15％～25％的Sn、10％～30％的In、1％～12％的Ag和40％～60％的Bi；所述In和所述Ag的原子百分比之和与所述Bi和所述Sn的原子百分比为35.7：39.3：25。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大连理工大学 低熔点In-Bi-Sn-Ag合金钎料及其制备方法、应用

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