申请/专利权人：海南大学

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855264A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及一种具有抗单粒子烧毁加固结构的CAVET器件，其包括漏极、衬底、漂移区、CBL区、ALGaN层、P‑GaN层、栅极、栅极介质、源极，其中，衬底位于漏极上方，CBL区对称分布于漂移区左右两侧内，源极对称位于漂移区上方左右两侧，ALGaN层、P‑GaN层、栅极介质位于两源极之间，ALGaN层位于漂移区上方，P‑GaN层、栅极介质均位于ALGaN层上方，栅极介质对称分布于漂移区左右两端，栅极区位于P‑GaN层上方；其还包括一层N型缓冲层，N型缓冲层位于衬底与漂移区之间，其底部位于衬底上方，顶部位于漂移区下方。本发明通过缓冲层大大降低了半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离，减少了因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量，具有较强的抗单粒子烧毁能力。

主权项：1.一种具有抗单粒子烧毁加固结构的CAVET器件，其包括漏极、衬底、漂移区、CBL区、ALGaN层、P-GaN层、栅极、栅极介质、源极，其中，所述衬底位于漏极上方，所述CBL区对称分布于漂移区左右两侧内，所述源极对称位于漂移区上方左右两侧，所述ALGaN层、P-GaN层、栅极介质位于两源极之间，所述ALGaN层位于漂移区上方，所述P-GaN层、栅极介质均位于ALGaN层上方，所述栅极介质对称分布于漂移区左右两端，所述栅极区位于P-GaN层上方，其特征在于：其还包括一层N型缓冲层，所述缓冲层位于衬底与漂移区之间，其底部位于衬底上方，顶部位于漂移区下方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 海南大学 一种具有抗单粒子烧毁加固结构的CAVET器件及其制造方法

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