申请/专利权人：上海精密计量测试研究所

申请日：2023-11-09

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117648902A

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398;G16C60/00;G06F111/08;G06F111/10;G06F119/06;G06F119/08;G06F119/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。

主权项：1.一种基于SiC-VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：a、通过扫描电镜SEM和扫描电容SCM获得所针对建模的SiC-VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数，包括衬底、漂移区、P-base区、沟道、栅结构、源漏重掺杂区重要结构，从而在TCAD仿真中建立精确的三维器件模型；b、对三维器件模型合理划分网格，在离子入射轨迹、漂移区与衬底界面、栅氧层附近区域均需要细化网格来保证仿真结果精度；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准，使得仿真结果与产品手册中的参数性能一致，保证后续仿真的精度；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值，并在TCAD中采用分段函数拟合的方式来表征其LET在SiC器件体内的分布状况，从而取代传统单粒子仿真中将粒子的LET定义为常量的表征手段，进一步保证后续仿真的精度；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型，解决在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展，实际的圆柱状单粒子轰击区域扭曲为带状的问题；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度，也就是遭受电热叠加应力的强度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海精密计量测试研究所 基于SiC-VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法

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