申请/专利权人：中国船舶集团有限公司第七二三研究所

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727802A

主分类号：H01L29/868

分类号：H01L29/868;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种硅基抗大功率微波烧毁效应的PIN二极管，包括阴极、重掺杂N+层、低掺杂N‑层、低掺杂P‑层、重掺杂P+层、阳极；其中，所述低掺杂P‑层位于本征层低掺杂N‑层周围，所述低掺杂P‑层位于与重掺杂N+层和重掺杂P+层之间。本发明提出的硅基抗大功率微波烧毁PIN晶体管优化了PIN晶体管在大功率微波作用下晶体管内的热分布并且降低了PIN晶体管在大功率微波作用下工作时的内部温度上升速率，改善了PIN晶体管抗大功率微波损伤能力。

主权项：1.一种硅基抗大功率微波烧毁效应的PIN二极管，其特征在于，所述硅基抗大功率微波烧毁效应的PIN二极管从上往下，依次包含阳极101、重掺杂P+层102、低掺杂N-层103、重掺杂N+层104、阴极105；以及和低掺杂N-层103同层的低掺杂P-层106；其中，所述低掺杂P-层106呈环形包裹低掺杂N-层103；所述低掺杂P-层106位于重掺杂N+层104和重掺杂P+层102之间；所述重掺杂P+层102厚度为TP+，重掺杂P+层102为P型掺杂，掺杂浓度NP+范围为1×1019cm-3至1×1020cm-3；所述低掺杂N-层103厚度为TN-，低掺杂N-层103为本征层，浓度NN-范围为1×1014cm-3至1×1016cm-3；所述重掺杂N+层104厚度为TN+，重掺杂N+层104为N型掺杂，掺杂浓度NN+范围为1×1019cm-3至1×1020cm-3；所述阳极101和阴极105为金属电极，均为欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国船舶集团有限公司第七二三研究所 一种硅基抗大功率微波烧毁效应的PIN二极管

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