申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2019-05-31

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858513A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其为半导体元件，主要包含：一基底具有一磁性隧道结magnetictunnelingjunction,MTJ区域以及一逻辑区域；一金属间介电层设于该基底上；一第一金属内连线设于该金属间介电层内并位于该MTJ区域上；以及多个突块设于该第一金属内连线两侧。其中第一金属内连线又包含一通孔导体以及一沟槽导体，且该等突块又包含一第一突块设于该通孔导体一侧以及一第二突块设于该通孔导体另一侧。

主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：基底，该基底上具有磁性隧道结区域以及逻辑区域；金属间介电层，设于该基底上；磁性隧道结，设于该磁性隧道结区域上的该金属间介电层内，其中该磁性隧道结包含：下电极；固定层；阻障层；自由层；以及上电极；第一金属内连线，设于该逻辑区域上的该金属间介电层内；以及多个突块，相邻于该第一金属内连线两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 磁阻式随机存取存储器

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