申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858326A

主分类号：H05H1/00

分类号：H05H1/00;G06F17/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：一种基于高超目标尾迹的受激电磁辐射特性反演电子密度的方法、系统、设备及介质，方法包括：信号获取、信号处理、峰值筛选、反演结果获得；系统、设备及介质：用于实现一种基于高超目标尾迹的受激电磁辐射特性反演电子密度的方法；本发明通过分析受激电磁辐射信号，达到无直接接触目标并反演等离子体中电子密度分布的效果，能够解决探针方法对流体场的干扰，温度敏感及激光干涉法的测量范围有限和成本高昂的问题，具有非侵入性电子密度测量能力，以及高灵敏性，能够在不干扰目标流体的前提下拥有高灵敏性的反演效果。

主权项：1.一种基于高超目标尾迹的受激电磁辐射特性反演电子密度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，获取由入射电磁波在尾迹等离子体中激发的受激电磁辐射信号；步骤2，对步骤1获取的受激电磁辐射信号进行处理，得到受激辐射信号波数谱；步骤3，对步骤2得到的受激辐射信号波数谱进行峰值筛选，得到受激辐射信号的波数；步骤4，利用步骤3得到的受激辐射信号的波数，通过色散关系反演目标等离子体电子数密度，得到反演结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于高超目标尾迹的受激电磁辐射特性反演电子密度的方法、系统、设备及介质

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