申请/专利权人：苏州科技大学

申请日：2022-03-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN115432939B

主分类号：C03C17/34

分类号：C03C17/34;C25B1/04;C25B1/55;C25B11/091

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开

摘要：本发明涉及一种高性能三氧化钨钨酸铋薄膜及其制备方法，高性能三氧化钨钨酸铋薄膜，包括钨酸铋薄膜，所述钨酸铋薄膜下依次为三氧化钨层和氟掺杂二氧化锡FTO导电玻璃，所述钨酸铋薄膜厚度为50‑500纳米，所述三氧化钨层厚度为10‑100纳米；所述钨酸铋薄膜为吸光材料，所述三氧化钨层为电子传输层。本发明采用刮涂法制备三氧化钨层结合电化学沉积法沉积铋，经退火后得到的高性能三氧化钨钨酸铋薄膜，制备过程简单且有较高的光电转换性能。本发明方法简便环保，制备的高性能钨酸铋薄膜结构有效地促进了电荷分离与传输，并具有良好的可见光电转换性能。

主权项：1.一种高性能三氧化钨钨酸铋薄膜，其特征在于，包括钨酸铋薄膜，所述钨酸铋薄膜下依次为三氧化钨层和氟掺杂二氧化锡FTO导电玻璃，所述钨酸铋薄膜厚度为50-500纳米，所述三氧化钨层厚度为10-100纳米，所述钨酸铋薄膜为吸光材料，所述三氧化钨层为电子传输层；高性能三氧化钨钨酸铋薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将钨酸溶液先刮涂到FTO导电玻璃衬底上，并在160-240摄氏度的恒温加热台上进行加热10-20分钟，冷却至室温后得到非晶三氧化钨层，再用电化学恒电位法在上述非晶三氧化钨层上沉积一层多晶铋膜，得到三氧化钨铋薄膜；S2、将所述三氧化钨铋薄膜在空气中自然干燥后，在500-700摄氏度下高温退火2-12小时，得到氧化物薄膜，自然冷却后，所述氧化物薄膜置于0.2-3摩尔升的氢氧化钾溶液中浸泡4-16小时，蒸馏水冲洗、自然晾干后，得到三氧化钨钨酸铋薄膜；在所述步骤S1中，以附着有非晶三氧化钨的导电玻璃作为阴极，5-10毫摩尔升的硝酸铋溶液作为电解液，铂片作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，在附着有非晶三氧化钨的导电玻璃上恒电压电化学沉积一层金属铋，经过电沉积得到三氧化钨铋薄膜，所述金属铋制备过程中的沉积电压为-0.4V，所述金属铋的电荷量为0.33库仑，控制铋钨的元素比例64，采用刮涂7.5微升，0.1摩尔升的钨酸溶液。

全文数据：

权利要求：

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