申请/专利权人:昕原半导体(上海)有限公司
申请日:2020-09-27
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN112201748B
主分类号:H10B63/00
分类号:H10B63/00;H10N70/20
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.16#授权;2021.05.07#著录事项变更;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开
摘要:本发明提供一种阻变存储器的钨薄膜制备方法,包括:采用物理气相沉积在底电极上沉积钨薄膜;采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜;通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨,其中,当所述WNx薄膜被磨光时,所述CMP机台停止研磨。利用本发明,能够解决现有制备阻变存储器的钨薄膜过程中,不能同时满足钨薄膜厚度、钨薄膜表面粗糙度问题。
主权项:1.一种阻变存储器的钨薄膜制备方法,其特征在于,包括:采用物理气相沉积在底电极上沉积钨薄膜;采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜,其中,x为0~1;通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨,其中,当所述WNx薄膜被磨光时,所述CMP机台停止研磨。
全文数据:
权利要求:
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