申请/专利权人：中国地质大学(武汉)

申请日：2022-12-21

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN115849450B

主分类号：C01G41/02

分类号：C01G41/02;B82Y40/00;B82Y15/00;G01N27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.04.14#实质审查的生效;2023.03.28#公开

摘要：本发明提供了一种氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用。本发明的制备方法，利用水热反应及后续退火制备得到具有同质结的氧化钨复合材料；由正交相WO3·0.33H2O和六方相三氧化钨形成的同质结气敏材料，在相界面处自由电子由六方相向正交相转移，直到他们的费米能级达到平衡，在正交相一侧形成电子积累层，六方相一侧形成电子耗尽层，界面处构成了n‑n同质结。正交相一侧的电子积累层利于吸附更多氧形成氧负离子与气体进行反应，有助于提高其对气体的灵敏度，并整体提高气体传感器的性能；而且，这种面内的同质结有助于提高载流子传输速率，从而提升与气体进行反应的速率，从而整体提升其对气体的检测性能。

主权项：1.一种氧化钨同质结气敏材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将1.35g钨粉加入至10mL的质量浓度为30%过氧化氢溶液中混合反应，反应后取上清液3mL和12mL水搅拌15min混合均匀，得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液于200℃下水热反应12h，将反应后的产物固液分离，使用水和无水乙醇洗涤四次，然后于60℃下干燥12h，得到前驱体粉末；S3、将前驱体粉末置于马弗炉中，以5℃min由室温升温至330℃退火2h，即得氧化钨同质结气敏材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国地质大学(武汉) 氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用

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