申请/专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室

申请日：2020-07-16

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111913310B

主分类号：G02F1/09

分类号：G02F1/09

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.11.27#实质审查的生效;2020.11.10#公开

摘要：本发明公开了一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法，该磁光调制器件包括磁场发生器、透明主调制部件和辅助调制部件，磁场发生器设置为磁场方向与入射可见光光路垂直；透明主调制部件设于磁场内，其内部填充磁性二维材料分散液，其中的磁性二维材料光学带隙在2.0eV以上，饱和磁化强度1emug以上，径厚比102以上；辅助调制部件包括分设于透明主调制部件的相对两侧且位于入射可见光光路上的第一偏振片和第二辅调制件，第二辅调制件为偏振检测器或第二偏振片，第二偏振片与第一偏振片的偏振方向正交。该磁光调制器件可实现对入射偏振光的非接触式、连续化大相位差调制，进而实现光强度、光谱或光偏振态的连续调制。

主权项：1.一种磁光调制器件，用于对入射可见光的大相位差调制，所述大相位差为相位差大于2π，其特征在于，所述磁光调制器件包括：磁场发生器，用于产生磁场；所述磁场发生器设置为磁场的方向与所述入射可见光的光路垂直；透明主调制部件，所述透明主调制部件具有容置腔体；所述容置腔体内填充有磁性二维材料分散液，所述磁性二维材料分散液中磁性二维材料的光学带隙在2.0eV以上，饱和磁化强度在1emug以上，径厚比在102以上；所述透明主调制部件设于所述磁场内，且位于所述入射可见光的光路上，所述磁性二维材料选自过渡金属元素掺杂的钛氧化物，所述过渡金属元素选自铁、钴、镍中的至少一种；辅助调制组件，所述辅助调制组件包括第一辅调制件和第二辅调制件，所述第一辅调制件和所述第二辅调制件分设于所述透明主调制部件的相对两侧，且位于所述入射可见光的光路上；所述第一辅调制件为第一偏振片，所述第二辅调制件为偏振检测器或第二偏振片，所述第二偏振片与所述第一偏振片的偏振方向正交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法

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