申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-01-31

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN110164783B

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60

优先权：["20180213 KR 10-2018-0017840"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2019.08.23#公开

摘要：一种用于回流的堆叠工具以及包括该堆叠工具的回流装置，该堆叠工具包括：下夹具，具有被配置为安置半导体封装的多个封装安置区域；中间夹具，被配置为位于下夹具的顶部并且具有封装支撑孔，半导体封装被配置为插入到该封装支撑孔中，中间夹具具有对应于该多个封装安置区域的形状；以及上配重件。上配重件包括：在中间夹具的顶部的配重件主体；上凹槽，仅在对应于半导体封装的上表面的区域上从配重件主体的上表面呈阶梯状向下；以及突出支撑部，被配置为从上凹槽的底面向下突出并且被配置为与半导体封装的上表面接触。

主权项：1.一种堆叠工具，包括：下夹具，具有被配置为安置半导体封装的多个封装安置区域；中间夹具，被配置为位于所述下夹具的顶部并且具有封装支撑孔，所述半导体封装被配置为插入到所述封装支撑孔中，并且所述中间夹具具有与所述多个封装安置区域对应的形状；以及上配重件，包括：在所述中间夹具的顶部上的配重件主体，上凹槽，仅在与所述半导体封装的上表面对应的区域中从所述配重件主体的上表面呈阶梯状向下，以及突出支撑部，被配置为从所述上凹槽的底面向下突出并且被配置为与所述半导体封装的上表面接触。

全文数据：用于回流的堆叠工具以及包括该堆叠工具的回流装置相关申请的交叉引用根据美国专利法第35条119款，本美国非临时专利申请要求于2018年2月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0017840号的优先权和权益，该申请以其全部内容通过引用结合于此。技术领域本发明概念涉及一种用于半导体封装的回流的堆叠工具以及包括该堆叠工具的回流装置。背景技术半导体封装是通过堆叠至少一个半导体芯片和封装基板来形成的。半导体封装可以通过将半导体芯片结合到封装基板的上部和下部来形成。封装基板可以通过将焊料凸块或焊球结合到诸如印刷电路板PCB基板等基板主体上来形成。半导体芯片和封装基板通过回流处理彼此结合。回流处理是将热量施加给半导体封装的处理，其中半导体芯片的焊盘与封装基板的焊料凸块相接触。因此，焊料凸块被熔化并结合至焊盘。回流处理可以通过将半导体芯片和封装基板安置在下夹具jig的顶部上、将配重件dumbbell放置在封装基板的上部、并施加热量来执行。配重件用于对封装基板加压，使得在施加热量的期间使封装基板与半导体芯片进行合适的、或良好的接触。在完成热量施加之后，配重件与封装基板分离。在封装基板已经被充分冷却的状态下，应将配重件分离。在封装基板尚未充分冷却时，封装基板和半导体芯片可能会部分地分离，和或在分离配重件的过程中可能致使封装基板变形，从而可能使半导体封装的可靠性退化。进一步地，在花费时间以充分冷却配重件时，可能会增加回流处理所需的时间，并因此可能会延迟后续的处理。发明内容本发明概念旨在提供一种提高半导体封装的可靠性的用于回流的堆叠工具、以及一种包括该堆叠工具的回流装置。根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具包括：下夹具，具有配置为安置半导体封装的多个封装安置区域；中间夹具，被配置为位于下夹具的顶部并且具有封装支撑孔，半导体封装被配置成插入到该封装支撑孔中，中间夹具具有对应于该多个封装安置区域的形状；以及上配重件。上配重件包括：在中间夹具的顶部上的配重件主体；上凹槽，仅在与半导体封装的上表面对应的区域中从配重件主体的上表面呈阶梯状向下；以及突出支撑部，被配置为从上凹槽的底面向下突出并且配置成与半导体封装的上表面接触。根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具包括：下夹具，具有配置为安置半导体封装的多个封装安置区域；中间夹具，呈与该多个封装安置区域中的每一个对应的形状并且具有配置为支撑半导体封装的封装支撑孔；以及在中间夹具的顶部上的上配重件。上配重件包括配重件主体，配重件主体具有对应于半导体封装的上表面的第一区域，第一区域具有的体积小于该多个封装安置区域中的每一个。根据本发明概念的一些示例实施方式的回流装置包括：上述堆叠工具；处理腔室，具有位于处理腔室的一侧的工具入口以及位于处理腔室的另一侧的工具出口，处理腔室被配置为提供用于对堆叠工具执行回流处理的空间；以及移送部，被配置为通过工具入口将堆叠工具移送到处理腔室中、并且通过工具出口将堆叠工具移送出处理腔室。附图说明图1A是使用根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具制造的半导体封装的竖直截面图；图1B是示出图1A的下半导体芯片和封装基板的回流处理的示意图；图2是根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具的分解透视图；图3是沿图2的线A-A′截取的竖直截面图；图4是图2的上配重件的底视图；图5是沿图4的线B-B′截取的竖直截面图；图6是根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具的上配重件的透视图；图7是沿图6的线C-C′截取的竖直截面图；图8是对应于图7的根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具的上配重件的竖直截面图；图9是根据本发明概念的一些示例实施方式的回流装置的竖直截面图；图10是在图9的回流装置中使用的涡流管的竖直截面图；图11是根据本发明概念的一些示例实施方式的回流装置的竖直截面图；图12是示出根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具的测量冷却效率的图表；以及图13A至图13D是根据一些示例实施方式的上凹槽的形状的竖直截面图。具体实施方式在下文中，将描述根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具以及包括该堆叠工具的回流装置。首先，将描述半导体封装的回流处理，其中使用了根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具。图1A是使用根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具制造的半导体封装的竖直截面图。图1B是示出图1A的下半导体芯片和封装基板的回流处理的示意图。参见图1A，半导体封装10包括下半导体封装11和中间封装基板13。半导体封装10可以包括上半导体封装15。下半导体封装11可以包括下封装基板11a、下半导体芯片11b和下模具11c。下封装基板11a可以包括下球11d和下焊盘11e，下球11d结合到该下封装基板的下表面，下焊盘11e形成在下封装基板11a的上表面上并且通过下模具11c而暴露。下半导体芯片11b可以通过分离的连接球11f来结合到下半导体基板。中间封装基板13可以包括结合到基板主体13a的下表面的中间凸块13b以及形成在基板主体13a的上表面的中间焊盘13c。中间封装基板13可以是插入式PCB或者包括插入式PCB。上半导体封装15可以包括上封装基板15a、上半导体芯片15b和上模具15c。上封装基板15a可以具有结合到其下表面的上球15d。上半导体芯片15b可以通过分离结合线15e来结合到上封装基板15a。中间封装基板13堆叠在下半导体封装11上，使得中间凸块13b与下封装基板11a的下焊盘11e接触。参见图1B，回流处理包括将中间封装基板13的中间凸块13b焊接到下封装基板11a的下焊盘11e的处理。回流处理包括以下处理：将加热至约250℃的温度的空气喷射至竖直堆叠的下半导体封装11和中间封装基板13；使中间凸块13b熔化；以及将中间凸块13b焊接至下焊盘11e。回流处理是在将竖直堆叠的下半导体封装11和中间封装基板13安装在堆叠工具上并使之移动时执行的。同时，回流处理包括通常在制造半导体封装10的过程中执行的处理，并且回流处理可以应用于具有各种结构的半导体封装。因此，回流处理可以应用于除图1A和图1B中示出的半导体封装10之外的具有各种结构的半导体封装。上半导体封装15堆叠在中间封装基板13的顶部，使得上球15d与中间封装基板13的中间焊盘13c接触。上半导体封装15的上球15d通过回流处理来焊接到中间封装基板13的中间焊盘13c。将在以下描述根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具。图2是根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具的分解透视图。图3是沿图2的线A-A′截取的竖直截面图。图4是图2的上配重件的底视图。图5是沿图4的线B-B′截取的竖直截面图。图2示出了省略半导体封装10的状态，并且图4示出了安置半导体封装10的状态。在图4中，可以提供单个半导体封装10或多个半导体封装10。在下文中，将下半导体封装11和中间封装基板13结合的状态称为半导体封装。参见图2至图5，根据本发明概念的一些示例实施方式的用于回流的堆叠工具100可以形成为包括下夹具110、中间夹具120和上配重件130。堆叠工具100包括用于安置半导体封装10的空间，该空间是通过从下侧依次堆叠下夹具110、中间夹具120和上配重件130来形成的。堆叠工具100使半导体封装10安置在下夹具110的顶部、用中间夹具120支撑半导体封装10的侧部、并且用上配重件130对半导体封装10的顶部加压。在回流处理期间，下夹具110和中间夹具120可以保持下半导体封装11与中间封装基板13之间的结合状态。上配重件130可以通过上配重件130的重量对中间封装基板13的上表面加压，以保持下半导体封装11与中间封装基板13之间的接触状态。下夹具110可以包括封装安置区域111。下夹具110还可以包括下通孔112。下夹具110可以形成为具有期望或替代地预先确定的厚度的大致的板形。下夹具110可以由诸如不锈钢等具有耐热性和耐腐蚀性的材料制成。下夹具110可以使半导体封装10安置在下夹具110的上表面以支撑半导体封装10。封装安置区域111可以根据在其上执行回流处理的半导体封装10的水平面积及半导体封装10的数量而形成为具有适当的面积。封装安置区域111可以形成为在第一方向x上具有较长长度的矩形形状。多个封装安置区域111可以在垂直于第一方向x的第二方向y上形成并且彼此间隔开。封装安置区域111可以使在其上执行回流处理的半导体封装10安置在封装安置区域111的上表面以进行支撑半导体封装10。下通孔112被形成为从封装安置区域111的上表面贯通至其下表面的孔形。多个下通孔112可以在第一方向x上形成并且彼此间隔开。下通孔112允许在回流处理过程中使外部供应的加热的空气提供至下半导体封装11的下表面。中间夹具120可以包括封装支撑孔121。中间夹具120可以形成为与下夹具110的平坦表面形状对应的大致的板形。中间夹具120可以由诸如不锈钢等具有耐热性和耐腐蚀性的材料制成。中间夹具120可以被安置在下夹具110的顶部以支撑半导体封装10的侧部。封装支撑孔121被形成为从中间夹具120的上表面贯通至其下表面。封装支撑孔121被形成为与封装安置区域111的平坦表面形状对应的形状。当中间夹具120位于在下夹具110的顶部时，封装支撑孔121可以形成在与封装安置区域111的形成位置对应的位置处。多个封装支撑孔121可以对应于该多个封装安置区域111来形成并且可以在第二方向y上彼此间隔开。封装支撑孔121可以支撑半导体封装10的将插入封装支撑孔121中的侧部，以防止或降低半导体封装10在回流处理中发生移动的可能性。上配重件130可以包括配重件主体131、突出支撑部132、上凹槽133和上通孔134。上配重件130可以在位于中间夹具120的顶部时与中间封装基板13的顶部相接触，并且因此可以通过上配重件130的重量对中间封装基板13加压，从而保持中间封装基板13与下半导体封装11之间的接触状态。上配重件130可以由诸如不锈钢等具有耐热性和耐腐蚀性的材料制成。配重件主体131和突出支撑部132可以是一体形成的。配重件主体131和突出支撑部132可以被形成为使得处理一个块。上配重件130可以由所加热的空气进行加热，以将回流所需或用于回流的热量供应至中间封装基板13。上配重件130可以使加热的空气与半导体封装10直接接触以加热半导体封装10。在回流处理完成之后，上配重件130可以与中间封装基板13分离。上配重件130的配重件主体131可以被形成为：使得与半导体封装10的上表面对应的区域与其他区域相比体积有所减小。更确切地，上凹槽133可以仅形成在上配重件130的配重件主体131中的与半导体封装10的上表面对应的区域中。上配重件130的配重件主体131可以仅在对应于与中间封装基板13相接触的区域的区域中厚度减小。上配重件130的配重件主体131可以仅在位于中间封装基板13的上部的区域中体积减小。因此，上配重件130可以在保持整体强度的同时在与半导体封装10相接触的区域中快速冷却，使得中间封装基板13进一步快速冷却。配重件主体131可以形成为具有期望或替代地预先确定的厚度的板形。配重件主体131可以被形成为：使得与半导体封装10的上表面对应的区域与其他区域相比具有相对较小的厚度。配重件主体131可以被形成为：使得与半导体封装10的上表面对应的区域与其他区域相比具有较小的体积。配重件主体131可以形成为与下夹具110或中间夹具120的平坦表面形状对应的平坦表面形状。配重件主体131可以利用配重件主体131的重量以及利用突出支撑部132来对中间封装基板13加压。突出支撑部132被形成为从配重件主体131的下表面向下突出的块形。突出支撑部132可以形成为与中间夹具120的封装支撑孔121的平坦表面形状对应的平坦表面形状。突出支撑部132的数量可以对应于封装支撑孔121的数量。类似于多个封装支撑孔121，多个突出支撑部132可以在第二方向y上形成并且间隔开。突出支撑部132可以插入中间夹具120的封装支撑孔121中并且可以与中间封装基板13的上表面接触。突出支撑部132可以通过突出支撑部132的重量对中间封装基板13的上表面加压，从而在回流处理过程中保持中间封装基板13与下半导体封装11相接触的状态。上凹槽133可以被形成为从配重件主体131的上表面呈阶梯向下的凹槽形。上凹槽133可以被形成为具有平坦底面的凹槽形。上凹槽133可以被形成为具有小于配重件主体131的厚度的深度。上凹槽133可以沿向下方向仅形成在配重件主体131的上表面的与半导体封装10的上表面对应的区域中。上凹槽133仅形成在配重件主体131中的位于半导体封装件10的顶部的区域中。上凹槽133可以相对于其他区域而减小位于半导体封装10的顶部的区域中的配重件主体131的厚度或体积。同时，上凹槽133可以被形成为延伸至配重件主体131中形成突出支撑部132的区域。上凹槽133可以是一体形成的。例如，可以形成单个上凹槽133。上凹槽133可以减小配重件主体131的体积以增加上配重件130的冷却速率。因此，上配重件130可以被快速冷却，从而使半导体封装10快速冷却。进一步地，上凹槽133可以增加配重件主体131的上表面的散热面积，从而增加上配重件130的冷却速率。上通孔134可以形成为从上凹槽133的底面贯通至突出支撑部132的下表面的孔形。上通孔134可以被形成在形成突出支撑部132的区域中。多个上通孔134可以在突出支撑部132上沿第一方向x形成并且彼此间隔开。进一步地，类似于突出支撑部132，多个上通孔134可以在第二方向y上形成并且彼此间隔开。多个上通孔134能够以网格形式被布置在上凹槽133上。上通孔134提供路径，被供应至堆叠工具100的顶部的加热空气通过该路径流动至中间封装基板13的上表面。尽管在图中未详细示出，但是上通孔134可以形成为沿向上方向水平截面积渐增的形状，即，呈倒置式截椎upside-downfrustum的形状。当上通孔134具有圆柱形状时，上通孔134可以形成为沿向上方向直径增加的形状。当上通孔134的上部具有比其下部更大的水平截面积时，在堆叠工具100的冷却处理过程中可以更加有效地消散内部热量。进一步地，供应至上配重件130的上部的气体可以更加有效地穿过上通孔134来与半导体基板的上表面接触。将在以下描述根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具。图6是根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具的上配重件的透视图。图7是沿图6的线C-C′截取的竖直截面图。参见图2至图7，根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具200可以被形成为包括下夹具110、中间夹具120和上配重件230。根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具200的上配重件230具有与根据图2至图5的堆叠工具100不同的结构。因此，将在以下基于上配重件230描述根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具200。进一步地，堆叠工具200的与根据图2至图5的堆叠工具100的组件类似或相同的部件将被给予相同的参考数字并且将省去其详细描述。上配重件230可以包括配重件主体131、突出支撑部132、上凹槽133、上通孔134和上突出部235。上突出部235可以形成为诸如三角柱形状、方柱形状或六角柱形状等多角柱形状。进一步地，上突出部235可以形成为圆柱形状。上突出部235可以形成为诸如三角锥形状、方锥形状或六角锥形状等多角锥形状。上突出部235可以形成为圆锥形状。多个上突出部235可以在包括配重件主体131的上表面和上凹槽133的底面的整个区域上形成并且彼此间隔开。多个上突出部235中的每一个可以形成为具有小于上凹槽133的深度的高度。多个上突出部235可以形成为具有相同的尺寸，或者多个上突出部235中的至少一部分可以形成为具有不同的尺寸。在此，尺寸可以指代基于方柱的宽度或高度。多个上突出部235可以增加上配重件230的上表面的表面积，以改善上配重件230的散热特性。因此，在完成了回流处理之后执行的冷却处理中，上配重件230可以更加快速地冷却。将在以下描述根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具。图8是对应于图7的根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具的上配重件的竖直截面图。参见图2至图8，根据本发明概念的一些示例实施方式的堆叠工具300可以被形成为包括下夹具110、中间夹具120和上配重件330。上配重件330可以包括配重件主体131、突出支撑部132、上凹槽133、上通孔134、上突出部235和上涂层336。上涂层336可以由诸如石墨烯或碳纳米管等具有高导热性的材料形成。上涂层336可以形成在包括配重件主体131的上表面、上凹槽133的底面和上突出部235的表面的整个区域中。由于上涂层336是由石墨烯或碳纳米管形成的，可以增加上配重件330的上表面的表面积，而可以不使热传递特性退化。上涂层336可以增加上配重件330的上表面的表面积，从而改善上配重件330的散热特性。因此，在结束了回流处理之后执行的冷却处理中，上配重件330可以更加快速地冷却。将在以下描述根据本发明概念的一些示例实施方式的回流装置。图9是根据本发明概念的一些示例实施方式的回流装置的竖直截面图。图10是在图9的回流装置中使用的涡流管的竖直截面图。参见图9，根据本发明概念的一些示例实施方式的回流装置400可以被形成为包括堆叠工具410、处理腔室420、移送部430和冷却部440。回流装置400可以使其上安装有半导体封装10的堆叠工具410安置在移送部430上并且可以将堆叠工具410移送至处理腔室420。回流装置400可以使堆叠工具410在处理腔室420内部执行回流、将堆叠工具410移送出处理腔室420、并且利用冷却部440冷却堆叠工具410。回流装置400可以使上配重件130与堆叠工具410分离，并且可以将半导体封装10取出并且向后续处理移送。回流装置400可以在期望的或替代地预先确定的时间量内使得移送出处理腔室420的堆叠工具410冷却，从而防止或减小在使上配重件130与堆叠工具410分离时半导体封装10发生损坏或变形的可能性。例如，当上配重件130与堆叠工具410分离时，回流装置400防止或减小半导体封装10的中间封装基板13发生与上配重件130一起分离的可能性、或者防止或减小中间封装基板13发生变形的可能性。堆叠工具410是被配置用于在回流处理期间将半导体封装10安装在其内并移送半导体封装10的零件。堆叠工具410可以被形成为根据图2至图8的实施方式的堆叠工具之一。堆叠工具410可以被形成为在期望的或替代地预先确定的时间量内冷却至分离上配重件130所需的温度。在此，该时间量可以是执行在回流处理之后的后续处理所需的容许时间量。例如，该时间可以是在完成了回流处理之后使上配重件130与堆叠工具410分离并使半导体封装10与堆叠工具410分离以将半导体封装10移送至后续处理所需的容许时间量。处理腔室420可以具有中空内部并且可以包括被设置在处理腔室420的一侧和另一侧处的工具入口421和工具出口422。处理腔室420可以提供用于对移送到处理腔室420中的堆叠工具410执行回流处理的空间。处理腔室420可以被形成为根据堆叠工具410的尺寸及其被移送到处理腔室420中的数量而具有适当的内部空间。尽管在图中未详细示出，处理腔室420可以包括：配置为使加热的空气注入处理腔室420的内部的空气入口，或者在处理腔室420内部并配置成加热空气的加热部未示出。进一步地，处理腔室420可以包括流动部未示出，流动部被配置成使其中的加热的空气流动到处理腔室420中以均匀地保持内部的温度。处理腔室420可以由回流装置400中使用的普通腔室形成。移送部430可以形成为从处理腔室420的外部贯通至处理腔室420的工具入口421和工具出口422。移送部430可以由一对滑轮和绕在该对滑轮上的带形成。移送部430可以由链式传送带形成。移送部430可以形成履带。移送部430通过工具入口421将堆叠工具410移送到处理腔室420中并且然后在回流处理之后通过工具出口422将堆叠工具410移送出处理腔室420。移送部430可以将堆叠工具410从处理腔室420的外部移送至冷却部440。冷却部440可以由配置成喷射气体以冷却堆叠工具410的零件形成。冷却部440可以喷射诸如空气或氮气等惰性气体。冷却部440可以喷射在室温下冷却的气体。冷却部440可以由配置成喷射气体的普通零件形成。例如，冷却部440可以包括喷嘴和气体供应管。参见图10，冷却部440可以形成为包括涡流管来代替喷嘴。涡流管是配置成使用压缩空气喷射冷却空气的器件。当冷却部440由涡流管形成时，冷却部440可以不具有配置成冷却气体的单独零件。冷却部440可以位于处理腔室420的工具出口422后面，并且可以将气体提供至由移送部430移送的堆叠工具410的上部，以冷却堆叠工具410的上部。冷却部440可以将气体喷射至堆叠工具410的上配重件130以冷却上配重件130。参见图11，冷却部440可以被形成为：除了移送部430的上侧方向之外，在朝向移送部430的前侧、一对横向侧、以及下侧中的至少一个的方向上喷射气体。多个冷却部440可以用于喷射气体，从而可以更加有效地冷却堆叠工具410。冷却部440可以将空气引入与堆叠工具410接触的表面以更加有效地冷却堆叠工具410。将在以下描述根据本发明概念的示例实施方式的堆叠工具的冷却效率评估结果。图12是示出根据本发明概念的示例实施方式的堆叠工具的测量冷却效率的图表。在此评估中，将图6的堆叠工具下文中称为“第一堆叠工具”和图8的堆叠工具下文中称为“第二堆叠工具”用作评估目标，并且将其中没有形成上凹槽的通用堆叠工具下文中称为“对比堆叠工具”用作对比目标。进一步地，在此评估中，评估了使用涡流管作为冷却部的回流装置下文中称为“涡流回流装置”。使用了具有在下半导体封装的顶部堆叠封装基板的结构的半导体封装。在此评估中，在处理腔室中被加热至温度为140℃的堆叠工具被移送出处理腔室，并且然后在每个时间点测量温度下降程度以评估堆叠工具的冷却效率。在堆叠工具安置半导体封装的状态下使用该堆叠工具。为了在回流处理过程中不损坏半导体封装的情况下分离堆叠工具的上配重件，堆叠工具被冷却至125℃或更低的温度。根据焊球的成分和制造商，在回流处理中焊球融化之后，在半导体封装中使用的焊球的固化温度可能略微不同。例如，多数焊球的固化在约150℃的温度时结束，但是一些焊球的固化可能在133℃的温度时结束。当焊球的固化温度为133℃的温度时，需要将堆叠工具冷却至125℃或更低的温度。当在堆叠工具尚未充分冷却的状态下分离上配重件时，中间封装基板可能与上配重件一起分离，或者封装基板可能会变形。进一步地，在回流处理中在约8秒内将堆叠工具冷却至125℃或更低的温度可以不影响后续的处理。参见图12，可以看出，第一堆叠工具在被移送出处理腔室之后约6秒冷却至125℃的温度，并且第二堆叠工具在被移送出处理腔室之后约4秒冷却至125℃的温度。第一堆叠工具和第二堆叠工具在期望的8秒内冷却至125℃的温度，并且上配重件能够在不损坏半导体封装的情况下分离。另一方面，可以看出，对比堆叠在14秒之后冷却至125℃的温度。因此，在对比堆叠工具中，上配重件可以在14秒之后分离，并因此产生了处理时间增加的问题。同时，涡流回流装置允许上配重件在2秒之后分离。根据本发明概念的示例实施方式，增加了上配重件的散热效率以快速地冷却中间封装基板，从而可以防止或减小中间封装基板与半导体芯片分离的可能性或中间封装基板发生变形的可能性，并且可以增加半导体封装的可靠性。进一步地，根据本发明概念的示例实施方式，将上配重件从中间封装基板分离所需的时间有所减少，从而可以减少回流处理所需的时间，并且可以提高生产效率。图13A至图13D是示出上凹槽133的各种形状的截面图。例如，如图13A中示出的，上凹槽133可以呈多个台阶和檐eaves133a的形状。此外，如图13B中示出的，上凹槽133可以呈倒角bevel133b的形状。此外，如图13C中示出的，上凹槽133可以呈斜面chamfer133c的形状。此外，如图13D中示出的，上凹槽133可以呈弯曲形状133d。然而，本发明概念不限于此。虽然已经参照附图描述了本发明概念的实施方式，但是本发明概念所属领域的技术人员可以理解，在不脱离本发明概念的必要特征或技术精神的情况下，本发明概念可以通过其他具体形式实现。因此，应理解，上述实施方式在各个方面都并非限制性而是说明性的。

权利要求：1.一种堆叠工具，包括：下夹具，具有被配置为安置半导体封装的多个封装安置区域；中间夹具，被配置为位于所述下夹具的顶部并且具有封装支撑孔，所述半导体封装被配置为插入到所述封装支撑孔中，并且所述中间夹具具有与所述多个封装安置区域对应的形状；以及上配重件，包括：在所述中间夹具的顶部上的配重件主体，上凹槽，仅在与所述半导体封装的上表面对应的区域中从所述配重件主体的上表面呈阶梯状向下，以及突出支撑部，被配置为从所述上凹槽的底面向下突出并且被配置为与所述半导体封装的上表面接触。2.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，所述配重件主体与所述突出支撑部是一体的。3.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，所述突出支撑部被配置为与中间封装基板的上表面直接接触，所述中间封装基板被焊接到下半导体封装。4.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，在与所述半导体封装的上表面对应的第一区域中的单个位置处形成所述上凹槽。5.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，所述上凹槽的深度小于所述配重件主体的厚度。6.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，所述上配重件具有形成在第二区域中的上涂层，所述第二区域包括所述配重件主体的上表面以及所述上凹槽的底面。7.根据权利要求6所述的堆叠工具，其中，所述上涂层包括石墨烯和碳纳米管中的至少一者。8.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，所述上配重件还包括在第二区域中彼此间隔开的多个上突出部，所述第二区域包括所述配重件主体的上表面以及所述上凹槽的底面。9.根据权利要求8所述的堆叠工具，其中，所述多个上突出部中的每个的形状为以下中的一个：三角柱、四角柱、六角柱、圆柱、三角锥、四角锥、六角锥以及圆锥。10.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，所述上配重件包括在所述配重件主体的上表面、所述上凹槽的表面、以及上突出部的表面中的每一者上的上涂层。11.根据权利要求10所述的堆叠工具，其中，所述上涂层包括石墨烯和碳纳米管中的至少一者。12.根据权利要求1所述的堆叠工具，其中，所述上配重件还包括上通孔，所述上通孔从所述上凹槽的底面贯通至所述突出支撑部的下表面，并且所述上通孔呈倒置式截椎的形状。13.一种堆叠工具，包括：下夹具，具有被配置为安置半导体封装的多个封装安置区域；中间夹具，具有封装支撑孔并且具有与所述多个封装安置区域中的每一个对应的形状，所述封装支撑孔被配置为支撑所述半导体封装；以及在所述中间夹具的顶部上的上配重件，所述上配重件包括：配重件主体，所述配重件主体具有与所述半导体封装的上表面对应的第一区域，所述第一区域具有的体积小于所述多个封装安置区域中的每一个。14.根据权利要求13所述的堆叠工具，其中，所述配重件主体包括从所述配重件主体的上表面呈阶梯向下的凹槽形的上凹槽，所述上凹槽处于第二区域中，所述第二区域与所述半导体封装的上表面对应。15.根据权利要求14所述的堆叠工具，其中，所述上配重件还包括：在第三区域中彼此间隔开的多个上突出部，所述第三区域包括所述配重件主体的上表面以及所述上凹槽的表面。16.根据权利要求15所述的堆叠工具，其中，所述上配重件还包括在所述配重件主体的上表面、所述上凹槽的表面、以及所述上突出部的表面中的每一者上的上涂层。17.一种回流装置，包括：根据权利要求1所述的堆叠工具；处理腔室，具有位于所述处理腔室的一侧的工具入口以及位于所述处理腔室的另一侧的工具出口，所述处理腔室被配置为提供用于对所述堆叠工具执行回流处理的空间；以及移送部，被配置为通过所述工具入口将所述堆叠工具移送到所述处理腔室中并且通过所述工具出口将所述堆叠工具移送出所述处理腔室。18.根据权利要求17所述的回流装置，其中，所述回流装置还包括冷却部，所述冷却部位于所述工具出口的外侧并且被配置为将冷却气体喷射到所述堆叠工具。19.根据权利要求18所述的回流装置，其中，所述冷却部包括涡流管。20.根据权利要求18所述的回流装置，其中，所述冷却部被配置为进一步在朝向所述堆叠工具的前侧、一对横向侧和下侧中的至少一个方向上喷射气体。

百度查询： 三星电子株式会社 用于回流的堆叠工具以及包括该堆叠工具的回流装置

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