申请/专利权人：成都海威华芯科技有限公司

申请日：2021-12-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114171500B

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开

摘要：本发明公开了一种版图定位标记绘制方法、基于其制备的芯片及晶圆，属于半导体集成电路制造技术领域，方法包括以下步骤：获取当前曝光区域内晶圆上芯片的边界框分布图，得到含边界框分布图的曝光区域图形L1；在图形L1的曝光边界上绘制定位标记，得到含绘制定位标记的图形L2；将图形L2叠加至当前曝光区域内晶圆上，完成版图定位标记的绘制。本发明利用曝光边界设计定位标记，能够避免初始定位标记设计与曝光边界不同步进而导致部分曝光区域设计失效的问题，提高了版图定位标记设计的成功率；同时，该版图定位标记设计能够在不同工艺条件下无障碍复制，可移植性好，大大缩短相关数据处理工作的时间，提升了专业设计人员工作效率及准确度。

主权项：1.一种版图定位标记绘制方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：获取当前曝光区域1内晶圆2上芯片3的边界框分布图，得到含边界框分布图的曝光区域1图形L1；在图形L1的曝光边界上绘制定位标记5，能够确定曝光边界的位置，得到含绘制定位标记5的图形L2；将图形L2叠加至当前曝光区域1内晶圆2上，完成版图定位标记的绘制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都海威华芯科技有限公司 一种版图定位标记绘制方法、基于其制备的芯片及晶圆

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