申请/专利权人：圣邦微电子(北京)股份有限公司

申请日：2021-06-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN115509289B

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.01.10#实质审查的生效;2022.12.23#公开

摘要：一种降低负压和高温漏电对带隙基准电压影响的芯片，其中，所述芯片中包括第一双极型晶体管、第二双极性晶体管和多个冗余管；其中，所述第一双极型晶体管由所述芯片中一个NPN结构构成；所述第二双极型晶体管由所述芯片中多个NPN结构构成；所述多个冗余管中的每个由所述芯片中的一个NPN结构构成，且构成所述冗余管的所述NPN结构的数量为所述第二双极型晶体管中单位个数与第一双极型晶体管中单位个数之差。本发明代价小、效果好，能够确保负压和高温情况下带隙基准源的精确性能。

主权项：1.一种降低负压和高温漏电对带隙基准电压影响的芯片，其特征在于：所述芯片中包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和多个冗余管；其中，所述第一双极型晶体管由所述芯片中一个NPN结构构成；所述第二双极型晶体管由所述芯片中多个NPN结构构成；所述多个冗余管中的每个由所述芯片中的一个NPN结构构成，且构成所述冗余管的所述NPN结构的数量为所述第二双极型晶体管中单位个数与第一双极型晶体管中单位个数之差；所述第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和多个冗余管中的NPN结构采用矩阵形排布；所述第一双极型晶体管和所述冗余管中的多个NPN结构与负压端口之间的相对位置关系，与所述第二双极型晶体管中的NPN结构与负压端口之间的相对位置关系互相匹配；或，所述第一双极型晶体管和所述冗余管中的多个NPN结构与芯片热源之间的相对位置关系，与所述第二双极型晶体管中的NPN结构与芯片热源之间的相对位置关系互相匹配。

全文数据：

权利要求：

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