申请/专利权人：清华大学

申请日：2023-07-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220753451U

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/0216

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：本实用新型实施例公开了一种响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片，该响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片包括：衬底、外延层、电极以及绝缘层，所述衬底对850nm波段光透明。本实用新型采用对850nm波段光透明的衬底，可以采用光背面入射的方式，这样就不存在正面电极阻碍光的入射到光敏面的问题，不仅彻底解决了电接触和光吸收之间的相互矛盾，而且电极还可以作为高反射镜，在光生载流子渡越时间不变的情况下，显著增加了光吸收的等效光程。

主权项：1.一种响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片，包括：衬底、外延层、电极以及绝缘层，其特征在于，所述衬底对850nm波段光透明，所述外延层包括：缓冲层、第一欧姆接触层、电子收集层、光吸收层以及第二欧姆接触层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片

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