申请/专利权人：上海林众电子科技有限公司

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117542877B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明提供一种载流子存储型IGBT器件及其制作方法，包括：衬底、IGBT器件的正面结构和背面结构，IGBT器件包括元胞区和终端区，背面结构包括于元胞区内自漂移区向衬底的第二主面依次设置的第一导电类型场截止区和第二导电类型集电区，其中漂移区包括依次贯穿场截止区和集电区而显露于衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区。本发明通过设置自漂移区延伸至衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区，使得器件反向耐压时，漂移区电场会朝集电极方向进一步扩展，能够实现更高掺杂浓度的载流子存储区，从而在不牺牲击穿电压的前提下最大限定降低导通压降。

主权项：1.一种载流子存储型IGBT器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一主面和第二主面，所述衬底的第一主面设置有IGBT器件的正面结构，所述衬底的第二主面设置有IGBT器件的背面结构，所述IGBT器件包括元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区均包括位于所述衬底中的第一导电类型漂移区，所述背面结构包括于所述元胞区内自所述漂移区向所述衬底的第二主面依次设置的第一导电类型场截止区和第二导电类型集电区，其中所述漂移区包括依次贯穿场截止区和集电区而显露于衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海林众电子科技有限公司 载流子存储型IGBT器件及其制作方法

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