申请/专利权人：深圳市德利和能源技术有限公司

申请日：2018-09-10

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN108900104B

主分类号：H02M7/483

分类号：H02M7/483

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2018.12.21#实质审查的生效;2018.11.27#公开

摘要：本发明公开了一种IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台，所述IGBT模拟器件包括光耦器件和第一二极管，所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地。所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极；所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。本发明能够解决IGBT用于初期算法调试平台造价较贵的问题。

主权项：1.一种IGBT模拟器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管模拟器件包括光耦器件和第一二极管；所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地；所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极；所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。

全文数据：IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台技术领域[0001]本发明涉及电路仿真技术领域，特别涉及一种IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台。背景技术[0002]IGBTInsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管），是由BJT双极型三极管和M0S绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有M0SFET金属-氧化物半导体场效应晶体管）的高输入阻抗和GTR电力晶体管）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，M0SFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。[0003]现有技术中，典型的三电平拓扑采用4只IGBT与两只二极管构成一相桥臂，通过控制不同的IGBT开通关断，来获得不同的输出电压，可以实现负载电压在三种电平之间的任意切换。并通过三个三电平相回路并联，构成三相三电平拓扑结构，该拓扑结构在光伏、储能、风电等领域得到了广泛的应用。[0004]目前，为了方便工程师进行三电平算法的调试，在实验室内通常会搭建实验平台。现有的实验平台有实物平台和仿真平台两种方式。而三电平算法的调试平台的硬件系统整体开发周期长，但是为了开发三电平算法的相关软件，必须先完成整体三电平调试平台的设计。现有三电平调试平台必须包括12路隔离驱动电路设计、IGBT保护电路、模块母排设计以及母线电容设计等，从而导致开发三电平调试平台的周期特别长，并且专用的隔离驱动电路设计和模块母排等造价较高，同时由于相关驱动回路数量众多，单独调试任一电路模块的周期也较长，会严重影响软件人员进度。[0005]另外，用IGBT制作的配套实物平台成本极高，IGBT模块、电容、叠层母排及驱动核等各个部件成本都很高，如果实验室用实物来做初期算法调试平台，成本非常高。发明内容[0006]本发明的主要目的是提供一种IGBT模拟器件，旨在解决现有的IGBT用于初期算法调试平台造价较贵的技术问题。[0007]为实现上述目的，本发明提供一种IGBT模拟器件，所述IGBT模拟器件包括光耦器件和第一二极管；[0005]所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地；所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极;所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。[0009]优选地，所述光耦器件耐压值为70V-100V，工作电流范围为5〇-l〇〇mA。[0010]优选地，所述光耦器件为光耦继电器。[0011]为实现上述目的，本发明还提供一种电平模拟电路，所述电平模拟电路包括供电电源、第一稳压模块、第二稳压模块、第三稳压模块、第四稳压模块、第一续流模块、第二续流模块、第一控制信号输入端、第二控制信号输入端、第三控制信号输入端、第四控制信号输入端及如上所述的IGBT模拟器件，所述IGBT模拟器件的数量为四个，且分别为第一晶体管器件、第二晶体管器件、第三晶体管器件和第四晶体管器件，所述供电电源包括第一输出端、第二输出端和第三输出端；[0012]所述第一稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第一控制信号输入端，所述第一稳压模块的输出端与所述第一晶体管器件的受控端连接；[0013]所述第一晶体管器件的输入端与所述供电电源的第一输出端连接，所述第一晶体管器件的输出端与所述第二晶体管器件的输入端、所述第一续流模块的输出端连接;所述第二晶体管器件的受控端与所述第二稳压模块的输出端连接，所述第二晶体管器件的输出端与所述第三晶体管器件的输出端连接，所述第二晶体管器件与所述第三晶体管器件的连接节点为所述电平模拟电路的输出端;所述第二稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第二控制信号输入端;所述第三晶体管器件的输出端分别与所述第四晶体管器件的输入端和所述第二续流模块的输入端连接，所述第三晶体管器件的受控端与所述第三稳压模块的输出端连接;所述第三稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第三控制信号输入端；[0014]所述第四晶体管器件的受控端与所述第四稳压模块的输出端连接，所述第四晶体管器件的输出端与所述供电电源的第二输出端连接;所述第四稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第四控制信号输入端连接;所述第二续流模块的输出端与所述第一续流模块的输入端连接，所述第二续流模块与所述第一续流模块的连接节点为所述供电电源的第三输出端。[0015]优选地，所述第一续流模块和第二续流模块为单向导通二极管。[0016]优选地，所述第一稳压模块、所述第二稳压模块、所述第三稳压模块和所述第四稳压模块为电阻。[0017]优选地，所述第一续流模块和第二续流模块为二极管。[0018]为实现上述目的，本发明还提供一种三电平仿真平台，所述三电平仿真平台包括控制器及如上所述的电平模拟电路，所述电平模拟电路的数量为多个，所述电平模拟电路的多个控制信号输入端分别与所述控制器的多个控制信号输出端连接，所述负载的输入端与供电电源连接，所述负载的输出端与所述电平模拟电路的输入端连接。[0019]优选地，所述电平模拟电路的数量为三个。[0020]优选地，所述的三电平仿真平台还包括多个负载，所述负载用于连接在所述供电电源的第一输出端和第二输出端之间，所述负载还用于连接在所述供电电源的第二输出端和第三输出端之间;所述负载为RC负载，或者LC负载。[0021]本发明提出的一种IGBT模拟器件，所述IGBT模拟器件包括光耦器件和第一二极管，所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地。所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成1GBT的漏极，所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述1GBT的源极。通过上述连接，光耦器件和第一二极管构成了模拟IGBT的结构，其中的电流和电压以及相关特性变换在实验测试时等同于利用IGBT进行测试，实现了对IGBT功能的模拟，并且相对于BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件来说，本发明提出IGBT模拟器件能解决现有的IGBT用于初期算法调试平台造价较贵的问题，节约了开发成本，具有较好的实验效果和经济价值。附图说明[0022]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。[0023]图1为本发明的IGBT模拟器件的电路结构示意图；[0024]图2为本发明的电平模拟电路的电路示意图；[0025]图3为本发明的三电平仿真平台的模块示意图。[0026]本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式[0027]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。[0028]需要说明，本发明实施例中所有方向性指示诸如上、下、左、右、前、后……仅用于解释在某一特定姿态如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。[0029]另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。[0030]为解决现有的IGBT用于初期算法调试平台造价较贵的问题，本发明提供一种IGBT模拟器件。[0031]在一实施例中，如图1所示，一种IGBT模拟器件包括第一光耦器件U1和第一二极管D1，所述第一光耦器件U1的发光二极管的阳极为IGBT的栅极G，所述第一光耦器件U1的发光二极管的阴极用于接地，所述第一光耦器件U1的集电极与所述第一二极管D1的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极D，所述第一光耦器件U1的发射极与所述第一二极管D1的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极S。[0032]其中，第一光耦器件U1的原边的发光二极管与副边电气隔离，使得发光二极管可以作为驱动器件，无需再次采用标准三电平方案中的12路隔离驱动设计，避免了特地采用隔离驱动设计带来的制作成本上升以及需要特地进行电气设计的问题。从而实现IGBT模拟器件的电路结构简单方便，成本较低。另外，用所述光耦器件的发光二极管的阳极替代IGBT的栅极G、所述光耦器件的集电极与所述第一二极管D1的阴极的连接节点构成IGBT的漏极D、所述光耦器件的发射极与所述第一二极管D1的阳极的连接节点构成所述IGBT的源极S，使得IGBT的基本特性得以保留，可以极大程度上模拟IGBT的电流电压以及导通状态的变化，测得的性能与对应的IGBT类似。而且因为光耦器件的特性，IGBT的栅极G与IGBT的源极S和漏极D之间不用增加别的手段即可实现电气隔离，简单方便，具有良好的实用性。当需要测得不同参数的IGBT的性能时，可以通过选用光耦器件和二极管的参数来实现，此时，二极管的耐压值需要大于光耦器件的耐压值，从而保证电路的安全性和可靠性。[0033]可选地，所述光耦器件耐压值为70V-100V，工作电流范围为50-100mA，此范围值可以实现较好的模拟效果。[0034]可选地，所述光耦器件为光耦继电器，可以实现更大电流以及更高电压的模拟。[0035]为实现上述目的，本发明还提供一种电平模拟电路，如图2所示，所述电平模拟电路包括供电电源、第一稳压模块、第二稳压模块、第三稳压模块、第四稳压模块、第一续流模块、第二续流模块、第一控制信号输入端PWM1、第二控制信号输入端PWM2、第三控制信号输入端PWM3、第四控制信号输入端PWM4及如上所述的IGBT模拟器件，所述IGBT模拟器件的数量为四个，且分别为第一晶体管器件Q1、第二晶体管器件Q2、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4,所述供电电源包括第一输出端DC+IN、第二输出端DCO和第三输出端DC-IN。所述第一稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第一控制信号输入端PWM1，所述第一稳压模块的输出端与所述第一晶体管器件Q1的受控端连接。所述第一晶体管器件Q1的输入端与所述供电电源的第一输出端DC+IN连接，所述第一晶体管器件Q1的输出端与所述第二晶体管器件Q2的输入端、所述第一续流模块的输出端连接。所述第二晶体管器件Q2的受控端与所述第二稳压模块的输出端连接，所述第二晶体管器件Q2的输出端与所述第三晶体管器件Q3的输出端连接，所述第二晶体管器件Q2与所述第三晶体管器件Q3的连接节点为所述电平模拟电路的输出端。所述第二稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第二控制信号输入端PWM2,所述第三晶体管器件Q3的输出端分别与所述第四晶体管器件Q4的输入端和所述第二续流模块的输入端连接，所述第三晶体管器件Q3的受控端与所述第三稳压模块的输出端连接。所述第三稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第三控制信号输入端PWM3,所述第四晶体管器件Q4的受控端与所述第四稳压模块的输出端连接，所述第四晶体管器件Q4的输出端与所述供电电源的第二输出端DCO连接，所述第四稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第四控制信号输入端PWM4连接。所述第二续流模块的输出端与所述第一续流模块的输入端连接，所述第二续流模块与所述第一续流模块的连接节点为所述供电电源的第三输出端DC-IN。[OO36]其中，第一稳压模块、第二稳压模块、第三稳压模块和第四稳压模块用于对第一控制信号输入端P丽1、第二控制信号输入端PWM2、第三控制信号输入端PWM3和第四控制信号输入端PWM4输入的控制信号进行稳压，使得经过第一稳压模块、第二稳压模块、第三稳压模块和第四稳压模块的电压稳定，不会破坏第一晶体管器件Q1、第二晶体管器件Q2、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4的性能和结构。在第一晶体管器件Q1、第二晶体管器件Q2、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4的不同导通状态下，供电电源的第一输出端DC+IN、第二输出端DCO和第三输出端DC-IN经第一续流模块和第二续流模块，然后再经过第一晶体管器件Q1、第二晶体管器件Q2、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4后，输出相应电压，因为供电电源的第一输出端DC+IN、第二输出端DCO和第三输出端DC-IN的三个输入端，以及第一晶体管器件Q1、第二晶体管器件Q2、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4的导通状态的变化，使得电平模拟电路的输出电压变化，具体的为：[0037]1当第一晶体管器件Q1和第二晶体管器件Q2导通，第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4断开，电平模拟电路输出供电电源的第一输出端dc+四和供电电源的第一输出端DC+IN的电压差值。[0038]2当第二晶体管器件Q2和第三晶体管器件Q3导通，第一晶体管器件qi和第四晶体管器件Q4断开，电平模拟电路输出供电电源的第二输出端DC〇和供电电源的第三输出端DC-IN的电压差值。[0039]3当第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4导通，第一晶体管器件叭和第二晶体管器件Q2断开，电平模拟电路输出供电电源的第一输出端此+:^和供电电源的第三输出端DC-IN的电压差值。[0040]上述实施例中，实现了多个电压的选择输出，具有良好的控制输出效果。而且，可以兼容3•3V、5V、15V控制板PWM输出。第二晶体管器件Q2包括第二光耦器件U2和第二二极管D2、第三晶体管器件Q3包括第三光耦器件U3和第三二极管D3、第四晶体管器件q4包括第四光耦器件U3和第四二极管D3。[0041]另外，该电平模拟电路包括IGBT模拟器件，即第一晶体管器件Q1、第二晶体管器件Q2、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4。该电平模拟电路的工作原理可参照上述实施例，在此不再赘述。理所应当地，由于本实施例的电平模拟电路采用了上述扣阶模拟器件的技术方案，因此电平模拟电路具有上述IGBT所有的有益效果。[0042]可选的，所述第一续流模块和第二续流模块为第五二极管D5和第六二极管D6。可选的，所述第一续流模块和第二续流模块为单向导通二极管。[0043]其中，单向导通二极管的续流效果较好，基本无损耗，可以选用低导通电压的肖特基二极管模拟IGBT续流二极管，此类二极管电流能力远大于光耦器件的电流能力，从而可以实现较好的模拟效果。[0044]可选的，所述第一稳压模块、所述第二稳压模块、所述第三稳压模块和所述第四稳压模块分别为第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4。[0045]其中，利用电阻实现稳压效果的结构简单，效果较好。另外，可以实现兼容各种电压的PWM控制（如3.3V5V15V，此时，仅需要改变第一稳压模块、所述第二稳压模块、所述第三稳压模块的电阻阻值即可实现，因此可以综合各种控制不同电压，实现多样化控制。[0046]以下结合图1、2对本发明的电路原理进行说明：[0047]控制信号经由第一控制信号输入端PWM1、第二控制信号输入端PWM2、第三控制信号输入端PWM3和第四控制信号输入端PWM4分别流经第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，从而可以分别控制第一晶体管器件Q1、第二晶体管器件Q2、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4的导通与断开的状态，供电电源的电压选通经过第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5或者第六二极管D6,从而实现不同电压的输出：[0048]1当第一晶体管器件Q1和第二晶体管器件Q2导通，第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4断开，供电电源的第一输出端DC+IN的电流流经第一晶体管器件Q1和第二晶体管器件Q2,供电电源的第二输出端DCO流经第一二极管D1、第五二极管D5和第二晶体管器件Q2,电平模拟电路输出供电电源的第一输出端DC+IN和第二输出端DC〇的电压差值。[0049]2当第二晶体管器件Q2和第三晶体管器件Q3导通，第一晶体管器件則和第四晶体管器件Q4断开，供电电源的第二输出端DCO的电流流经第二二极管D2、第五二极管D5和第二晶体管器件Q2，供电电源的第三输出端DC-IN的电流流经第六二极管D6、第四二极管04和第三晶体管器件Q3,电平模拟电路输出供电电源的第二输出端DCO和第三输出端DC-IN的电压差值。[0050]3当第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4导通，第一晶体管器件叭和第二晶体管器件Q2断开，供电电源的第一输出端DC+IN的电流流经第四二极管D4、第三二极管D3和第三晶体管器件Q3，供电电源的第三输出端DC-IN的电流流经第六二极管D6、第四二极管D4、第三晶体管器件Q3和第四晶体管器件Q4,电平模拟电路输出供电电源的第一输出端DC+IN和第三输出端DC-IN的电压差值。[0051]上述电平模拟电路可以输出根据控制信号控制多个晶体管器件，从而实现电平模拟电路输出端电压的改变，实现的结构简单，具有较好的技术效果。[0052]为实现上述目的，本发明还提供一种三电平仿真平台，如图3所示，所述三电平仿真平台包括控制器及如上所述的电平模拟电路，所述电平模拟电路的数量为多个，所述电平模拟电路的多个控制信号输入端分别与所述控制器的多个控制信号输出端连接，所述负载的输入端与供电电源连接，所述负载的输出端与所述电平模拟电路的输入端连接。[0053]该三电平仿真平台包括电平模拟电路。该三电平仿真平台的工作原理可参照上述实施例，在此不再赘述。理所应当地，由于本实施例的三电平仿真平台采用了上述电平模拟电路的技术方案，因此三电平仿真平台具有上述电平模拟电路所有的有益效果。[0054]因为现有的三电平仿真平台无法进行控制程序验证，只能通过Matlab或者其他仿真软件进行简单的模型化仿真验证，无法对控制板的控制回路及PWM发生回路进行实际的验证。而且三电平仿真平台的效果与实际平台各个部件的模型准确度有关，如果选用高级的可生成程序代码的仿真系统平台，成本极高，同时也需要配套硬件支持，而采用IGBT的三电平仿真平台造价高昂，成本较高。所以需要经济实用的，测试效果较好的三电平仿真平台来替代。在本方案中，通过利用模拟器件代替IGBT，使得无需再在仿真平台采用隔离架构和专用的配套叠层母排等造价高昂的配件，从而可以节约经费，另外实现的结构简单，便于大面积推广，具有较好的经济价值。可选地，三电平仿真平台中的电平模拟电路的数量可以为多个，根据实际需要选用。[0055]可选地，所述电平模拟电路的数量为三个，包括第一电平模拟电路、第二电平模拟电路和第三电平模拟电路。[0056]可选地，所述的三电平仿真平台还包括多个负载，所述负载用于连接在所述供电电源的第一输出端DC+1N和第二输出端DC0之间，所述负载还用于连接在所述供电电源的第二输出端DC0和第三输出端DC-IN之间，所述负载为RC负载，或者LC负载。[0057]其中，三电平仿真平台通过外部提供直流母线供电，一般外部最高直流母线电压不超过光耦器件耐压值的60%。负载两端可用于测试三电平仿真平台的输出结果，所以负载可接RC负载，例如供电电源的第一输出端DC+IN和第二输出端DC0之间的第一负载，供电电源的弟二输出端DCO和第三输出端DC-IN之间的第二负载，第一负载包括第一电容Cl和第五电阻R5,第二负载包括第二电容C2和第六电阻R6,如果使用大电流光耦继电器，可选用Lc负载。_8]壯仅为本发_慨实譲，并_此關本发_专繼围，凡的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或首接间接他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。〃

权利要求：1.一种IGBT模拟器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管模拟器件包括光耦器件和第一二极管；所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地;所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极;所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。2.如权利要求1所述的IGBT模拟器件，其特征在于，所述光耦器件耐压值为70V-100V，工作电流范围为50-100mA。3.如权利要求1所述的IGBT模拟器件，其特征在于，所述光耦器件为光耦继电器。4.一种电平模拟电路，其特征在于，所述电平模拟电路包括供电电源、第一稳压模块、第二稳压模块、第三稳压模块、第四稳压模块、第一续流模块、第二续流模块、第一控制信号输入端、第二控制信号输入端、第三控制信号输入端、第四控制信号输入端及如权利要求1至3任一项所述的IGBT模拟器件，所述IGBT模拟器件的数量为四个，且分别为第一晶体管器件、第二晶体管器件、第三晶体管器件和第四晶体管器件，所述供电电源包括第一输出端、第二输出端和第三输出端；所述第一稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第一控制信号输入端，所述第一稳压模块的输出端与所述第一晶体管器件的受控端连接；所述第一晶体管器件的输入端与所述供电电源的第一输出端连接，所述第一晶体管器件的输出端与所述第二晶体管器件的输入端、所述第一续流模块的输出端连接;所述第二晶体管器件的受控端与所述第二稳压模块的输出端连接，所述第二晶体管器件的输出端与所述第三晶体管器件的输出端连接，所述第二晶体管器件与所述第三晶体管器件的连接节点为所述电平模拟电路的输出端;所述第二稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第二控制信号输入端;所述第三晶体管器件的输出端分别与所述第四晶体管器件的输入端和所述第二续流模块的输入端连接，所述第三晶体管器件的受控端与所述第三稳压模块的输出端连接;所述第三稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第三控制信号输入端；所述第四晶体管器件的受控端与所述第四稳压模块的输出端连接，所述第四晶体管器件的输出端与所述供电电源的第二输出端连接;所述第四稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第四控制信号输入端连接;所述第二续流模块的输出端与所述第一续流模块的输入端连接，所述第二续流模块与所述第一续流模块的连接节点为所述供电电源的第三输出端。5.如权利要求4所述的电平模拟电路，其特征在于，所述第一续流模块和第二续流模块为单向导通二极管。6.如权利要求4所述的电平模拟电路，其特征在于，所述第一稳压模块、所述第二稳压模块、所述第三稳压模块和所述第四稳压模块分别为电阻。7.如权利要求4所述的电平模拟电路，其特征在于，所述第一续流模块和第二续流模块为二极管。8.—种三电平仿真平台，其特征在于，所述三电平仿真平台包括控制器及如权利要求4至7任一项所述的电平模拟电路，所述电平模拟电路的数量为多个，所述电平模拟电路的多个控制信号输入端分别与所述控制器的多个控制信号输出端连接，所述负载的输入端与供电电源连接，所述负载的输出端与所述电平模拟电路的输入端连接。一9.如权利要求8所述的三电平仿真平台，其特征在于，所述电平模拟电路的数量个。10.如权利要求8所述的三电平仿真平台，其特征在于，所述的三电平仿真平台还包括多个负载，所述负载用于连接在所述供电电源的第一输出端和第二输出端之间，所述负载还用于连接在所述供电电源的第二输出端和第三输出端之间；所述负载为RC负载，或者LC负载。

百度查询： 深圳市德利和能源技术有限公司 IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD