申请/专利权人：富芯微电子有限公司

申请日：2019-08-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN110504230B

主分类号：H01L23/373

分类号：H01L23/373;H01L23/14;H01L29/739;H01L21/50;H01L21/67;C09J129/14;C09J133/04;C09J151/06;C09J103/06;C09J11/04;C09J11/06;C09J11/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2019.12.20#实质审查的生效;2019.11.26#公开

摘要：本发明公开了一种高强度导热IGBT芯片及其加工工艺与加工装置，该IGBT芯片包括基板、导热胶、芯片本体和二极管芯片，所述基板的上表面通过导热胶与芯片本体和二极管芯片连接；本发明首先将碳化硅表面金属化预处理，然后通过压机压力渗透铝液至碳化硅颗粒缝隙中，冷却脱模后指的基板；再通过含有乙酰化二淀粉磷酸酯、四针状氧化锌晶须和马来酸酐接枝聚丙烯原料的导热胶粘结芯片本体和二极管芯片，基板和导热胶两者协同作用，使IGBT芯片具有良好的导热性和机械强度。

主权项：1.一种高强度导热IGBT芯片的加工工艺,其特征在于，包括以下步骤：步骤一、基板的制备：按重量份计，将100-150份碳化硅颗粒预处理后制成预制块，然后将预制块放入模具中压制烧结成型，加热至600℃；将100-150份铝合金加热制成铝溶液并保温30分钟后加入到模具中，采用100T的压机压力渗透铝液至碳化硅颗粒缝隙中；待模具冷却后脱模成型，得到基板；步骤二、导热胶的制备:A、按重量份计，称取聚乙烯醇缩丁醛80-100份、丙烯酸树脂45-60份、乙酰化二淀粉磷酸酯25-38份、磷酸铁粉2-8份、导电云母粉3-9份、四针状氧化锌晶须4-8份、氧化镁2-6份、二辛基锡4-11份、莫来石2-5份、黏土1-3份、2-巯基苯并噻唑16-28份、氯化石蜡5-10份、固化剂6-15份、偶联剂8-17份和复合相容剂6-15份；将莫来石和黏土置于球磨罐中球磨1-3h，然后过150目筛备；B、将氧化镁、导电云母粉、磷酸铁粉、四针状氧化锌晶须和步骤A中的过筛物置于混料罐中，混合搅拌均匀，然后向混料罐中加入偶联剂，继续搅拌均匀，得到混合料；C、将聚乙烯醇缩醛、丙烯酸树脂和乙酰化二淀粉磷酸酯置于搅拌罐中，加热至50-80℃，搅拌0.5-2h，然后向搅拌罐中依次投入2-巯基苯并噻唑、二辛基锡、复合相容剂和步骤B中的混合料，搅拌1-3h后自然冷却至室温；D、最后将氯化石蜡和固化剂投入到搅拌罐中，搅拌均匀后真空脱泡，即得所需的导热胶；步骤三、IGBT芯片的制备：首先将导热胶加入到压合设备的点胶机中，并通过第一输送带输送芯片本体，第二输送带输送基板，第三输送带输送二极管芯片，基板从豁口进入到第一滑轨上，第一气缸通过推板推动基板移动，基板到达鼓风机正下方时，鼓风机清理基板表面灰尘，然后输送到点胶机正下方，点胶机进行点胶，点胶的同时，热风机通过导热管对基板进行加热，然后输送到第一吸取机构下方，第一吸取机构将第三输送带输送的二极管芯片吸取并放在基板上，输送到第二吸取机构时，第二吸取机构将第一输送带输送的芯片本体吸取并放在基板上，最后由挤压机构将芯片本体和二极管芯片挤压在基板上，自然冷却固定后输送到收集箱中。

全文数据：

权利要求：

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