申请/专利权人：金冠电气股份有限公司;西安交通大学;国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894680A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了IGBT器件及基于改性钝化层来提高压接型IGBT工作电压的方法，该方法包括：向IGBT用钝化层PI中掺杂非线性电导材料，采用掺杂得到的非线性纳米复合材料作为IGBT的钝化层材料。本发明通过对PI基体进行了改性，协同调控了聚酰亚胺的电导率、非线性系数和阈值场强，该方法能够有效缓解高压大功率IGBT固体绝缘介质界面处电场畸变，减少电荷积聚，提升IGBT用钝化层的耐压强度。

主权项：1.基于改性钝化层来提高压接型IGBT工作电压的方法，其特征在于，包括：向IGBT用钝化层PI中掺杂非线性电导材料，采用掺杂得到的非线性纳米复合材料作为IGBT的钝化层材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 金冠电气股份有限公司;西安交通大学;国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司 IGBT器件及基于改性钝化层来提高压接型IGBT工作电压的方法

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