申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117826524A

主分类号：G03F1/36

分类号：G03F1/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供了一种OPC修正方法、装置及掩膜板结构，应用于半导体技术领域。其首先对测试版图中的正方形图形进行辅助图形添加，并得到第一仿真图形，然后利用预设公式分别为正方形图形设置一图形形貌参数，以确定出周边区域添加有辅助图形后的正方形图形的实际曝光图形与圆形图形的相似度，即评估出通孔结构在周边环境影响下的整体形貌，然后筛选出实际曝光图形与圆形图形相比相差较大的正方形图形，并将其沿着仿真图形上关键尺寸CD偏小的方向旋转，从而弥补通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中其周边环境的不对称对其形貌的影响，进而实现了降低芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，以实现提高半导体器件性能的稳定性的目的。

主权项：1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形；针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度；将每一个所述正方形图形的图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种OPC修正方法、装置及掩膜版结构

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