申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-07-06

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117836666A

主分类号：G01S15/89

分类号：G01S15/89;G06F21/32;G06V40/13;G06V40/12;G01S7/52

优先权：["20210830 US 17/446,438"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：一种装置可以包括具有超声收发器层、薄膜晶体管TFT层和频率区分层的超声传感器系统。在一些示例中，频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较低频区域相对应的第一频率区分层区域。该第一频率区分层区域可以包括具有第一声阻抗的第一材料。在一些此类示例中，频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较高频区域相对应的第二频率区分层区域。该第二频率区分层区域可以包括具有第二声阻抗的第二材料。例如，该第一声阻抗可以高于该第二声阻抗。

主权项：1.一种装置，包括：超声传感器系统，包括：超声收发器层；频率区分层，包括：第一频率区分层区域，所述第一频率区分层区域与所述超声传感器系统的较低频区域相对应并且包括具有第一声阻抗的第一材料；以及第二频率区分层区域，所述第二频率区分层区域与所述超声传感器系统的较高频区域相对应并且包括具有第二声阻抗的第二材料，所述第一声阻抗高于所述第二声阻抗；以及薄膜晶体管TFT层，所述TFT层驻留于所述超声收发器层和所述频率区分层之间，所述TFT层邻近所述频率区分层的第一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 具有较高频和较低频区域的超声传感器系统

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