申请/专利权人：苏州科技大学

申请日：2023-08-03

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117831959A

主分类号：H01G11/30

分类号：H01G11/30;H01G11/32;H01G11/86

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种基于茼蒿茎秆合成NiOH2‑g‑C3N4C复合电极材料的方法与应用。以茼蒿茎秆为生物碳源，通过水热合成方法在层状g‑C3N4C上直接生长了六方氢氧化镍NiOH2纳米片，合成的NiOH2‑g‑C3N4C复合材料形成了独特的花瓣状结构。g‑C3N4具有独特的富氮结构增加了材料的反应活性电位，并具有优异的稳定性，还可以在冲放电过程中提供垂直的电荷传输方向，促进电子的传输。另外，生物质C的引入还可以提升材料整体的导电性，也为合成提高了材料的利用率，降低实验的成本。所制备的的NiOH2‑g‑C3N4C复合材料在3MKOH电解质中，在1A·g‑1的电流密度下最高表现出更高的1570F·g‑1比电容，适合高性能超级电容器的可行候选材料。

主权项：1.一种基于茼蒿茎秆合成NiOH2-g-C3N4C复合电极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）茼蒿茎秆的预处理将新鲜采摘的茼蒿茎秆切成3-5cm的小段，灭菌处理后，并用去离子水洗涤，浸泡于预处理液中以脱除其中的叶绿素和生物活性物质，浸泡三至四周后，将茎秆用去离子水洗涤后恒温风干，避免阳光直射，收集备用；（2）制备g-C3N4C以三聚氰胺为前驱体配制水溶液，将预处理过的茼蒿茎秆浸入，并搅拌至前驱体完全溶解，静置后将混合物烘干结晶，接着煅烧生成g-C3N4C复合材料，所述茼蒿茎秆和三聚氰胺的质量比为1:（1~3）；（3）制备NiOH2-g-C3N4C复合材料以六水合硝酸镍（II）（NiNO32⋅6H2O）为Ni源制备NiOH2，将g-C3N4C复合材料和六水合硝酸镍（II）按照不同比例置于去离子水中搅拌调节pH值，并置于内壁涂有聚四氟乙烯涂层的水热反应釜中进行水热反应，将产物离心洗涤后烘干并研磨，得到NiOH2-g-C3N4C复合材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州科技大学 一种基于茼蒿茎秆合成Ni(OH)₂-g-C₃N₄/C复合电极材料的方法与应用

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