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【发明公布】一种垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202311728495.5 

申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日:2023-12-15

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN117822104A

主分类号:C30B25/14

分类号:C30B25/14;C30B25/16;C23C16/455

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要:本发明提出一种垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置,具体涉及于半导体技术领域,所述垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置包括喷淋装置本体,其中:所述上喷淋装置包括第一混合腔,所述上喷淋装置底部设有与第一混合腔连通的喷淋管,所述上喷淋装置顶部还设有第一入口,所述下喷淋装置包括第二混合腔,所述下喷淋装置底部设有与第二混合腔连通的喷淋管,所述下喷淋装置顶部设有第二入口,所述喷淋管底部设有导流部,所述喷淋管由竖直方向逐渐向水平方向倾斜,通过将喷淋管进行倾斜设置以及喷淋管末端设置导流部,可以使得金属源、氢化物源气体在第一混合腔、第二混合腔内相互接触,并延长从喷头到衬底所需的时间,有利于金属源、氢化物源扩散均匀的混合。

主权项:1.一种垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置,其特征在于,包括喷淋装置本体,其中:所述喷淋装置本体包括上喷淋装置和下喷淋装置,所述上喷淋装置包括上喷淋装置位于所述下喷淋装置顶部并与所述下喷淋装置固定连接;所述上喷淋装置包括第一混合腔,所述上喷淋装置底部设有与第一混合腔连通的喷淋管,所述上喷淋装置顶部还设有第一入口,所述下喷淋装置包括第二混合腔,所述下喷淋装置底部设有与第二混合腔连通的喷淋管,所述下喷淋装置顶部设有第二入口,所述喷淋管底部设有导流部,所述喷淋管由竖直方向逐渐向水平方向倾斜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置

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